说明:
1、本代码为原创设计,仅供学习使用。
2、从这篇开始,这个专栏将正式进入到RTL设计阶段。
3、这篇文章过后还会有 AXI-lite,Xilinx AXI主机等代码的分析,供大家学习参考。
该设计为一个AXI4接口的双口SRAM,支持读写最大outstanding数为30。
数据位宽为32bit,RAM深度为256。(可按需修改)
支持burst方式为INCR
burst长度支持1~16
读写设计分离,不会产生访问阻塞。
如上图所示,tb中先后向AXIRAM中写入了16笔outstanding,burst长度按顺序为1~16。数据均为ra