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  • 简单理解三极管导通条件(从电压角度考虑)


    1、本文仅描述三极管如何使用,不对三极管的原理做讲解。
    2、本文内容如有错误,欢迎交流指正。
    3、本文仅作为本人学习笔记,部分内容来源于网络、书籍,如涉及侵权,请联系删除。

    在这里插入图片描述

    三极管的分类:NPN型、PNP型。

    三极管的三极:B(基极)、C(集电极)、E(发射极)。

    电流流向参考以上图片。

    两种三极管的区别:导通条件不同(在实际应用中可以这样考虑)。

    NPN型导通条件:

    1、 Vbe电压大于导通电压(通常为0.6V至0.7V,根据芯片资料确定,芯片资料上可能称为恒压峰值Vbe(on));
    2、不导通的时候,相当于断路,导通的时候C端和E端之间会有一个很小的压降(芯片手册上称为集电极-发射极饱和压降,写作Vce(sat)或者Vce(on),一般为几十到几百毫伏。

    PNP型导通条件:

    1、Vbe电压小于导通电压(通常为-0.6V至-0.7V,详细看芯片资料)。
    2、导通的时候发射极和集电极之间也会有一个小压降。

    三极管相关的文章推荐:

    1、三极管详细原理:https://zhuanlan.zhihu.com/p/70283695
    2、如何理解三极管的伏安特性曲线:https://zhuanlan.zhihu.com/p/476574471

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  • 原文地址:https://blog.csdn.net/weixin_41899171/article/details/133269523
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