低压MOS管AONS36344、AONS36348 MOSFET N-CH DFN

特点
沟槽功率MOSFET技术30V
低RDS(ON)
门票费低
高电流能力
符合RoHS和无卤标准

应用
DC/DC转换器在计算、服务器和POL中的应用
电信和工业中的隔离DC/DC转换器

产品参数
1、型号：AONS36344 低压MOS管
类型：单 - N型MOS管
VDS (V)漏极电压：30V
VGS (±V)栅极电压：20V
封装：DFN 5x6  

2、型号：AONS36348 
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：24A（Ta），50A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：7 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：20 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：800 pF @ 15 V
FET 功能：-
功率耗散（最大值）：6.2W（Ta），26W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：8-DFN（5x6）
封装/外壳：8-PowerSMD，扁平引线

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