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  • 根据Power switch建模发散开来的内部结构


    1、来源
    参考:【开关电源】matlab/simulink入门

    器件

    MOSFET

    MOSFET and internal diode in parallel with a series RC snubber circuit. When a gate signal is applied the MOSFET conducts and acts as a resistance (Ron) in both directions. If the gate signal falls to zero when current is negative, current is transferred to the antiparallel diode. For most applications, Lon should be set to zero.
    MOSFET和内部二极管并联一个串联的RC缓冲电路。当门信号被应用时,MOSFET在两个方向上传导并作为电阻(Ron)。如果门信号在电流为负时降为零,电流就转移到反平行二极管。对于大多数应用程序,Lon应该设置为零。Q

    在这里插入图片描述
    Nmos fet。注意MOS管 都有一个体二极管,这注定了mos管无法完全关断,当g为低的时候,Diode反向导通的时候,D的电流仍可以通过体二极管反向导通来建立起。

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  • 原文地址:https://blog.csdn.net/Carol0630/article/details/126774493
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