全部学习汇总: https://github.com/greyzhang/g_TC275
首先,看一下硬件配置中对于GPIO复位状态的影响。这个默认值主要是取决于HWCFG[6],根据这个PIN的配置状态决定是上拉还是高阻态。
这里先明确两个缩写的标识符,其中CC是控制器特性,SR是系统需求。如果电气特性分类,这两种算是两个不同角度或者维度的分类信息。
这里面,两个注意点:第一,不同温度下的存储是有一定的时间限制的。测试条件中,150摄氏度下存储了65h,而170摄氏度下的存储测试时间是15h。第二,电流最大的限制相关的信息中,单个PIN的电流是10ma,总和是100ma。这么看,全部总和让设备损坏的原因可能不是单个PIn损坏而是触发了其他的薄弱环节,因为这样的PIN的数目不可能限制在10个。
VSS,在这个文档中其实是指数字地信号。
过载的主要的可能是过流或者过压。
电流中第一条分成了两个,其差异点是一个是恒流而另一个是脉冲。而整个表格理解的障碍点,我觉得其实是在于一堆的符号究竟代表什么含义。
过载的制造方法可能是通过相邻的PIN诸如电流来制造出相应的条件。
这里的参数是PN结的过载特性,似乎有必要把模电翻出来对照理解一下了。
这是对时钟树各个节点的数值的限制,其中PLL的限制是有上下约束的。而这些参数信息,在软件实现的时候需要考虑为配置参数中需要参考的约束条件。
内核供电,前面看到了损坏的电压极限是1.8V,这里是还能够扛得住的范围。
对于Flash来说,供电的方式这么看应该是有两种,可以选择内部供电或者外部供电的方式。
这里的滞环看上去只有一个数值,可能表达的含义是有效后可以有一定的保持能力。或者,这个斜线可能标注了两种电压,FLEX也是一个数值。至于这种理解,暂且没有看到明确的提示。
测试条件中,AL以及TTL中的AL其实是车规级的概念。
以上,就是这次学习的简单梳理结果。其实,回头品味一下还是有一点点收获的。有一些以前从来没有想到过的问题点甚至面逐渐有了一个引入的开端,这就是很好的预览学习中的收获。