SFI立昌STD系列方案与应用

應用
STD系列產品，SMD TVS瞬態電壓抑制器，具備對稱的電壓和電流特性。STD是半導體材料，透過SFI所開發最新半導體封裝製程(SGD)來加以製造，具有優異的ESD暫態能量吸收能力，以及快速的內部散熱特性，達到保護電路的效果，同時STD系列產品有多種電容值可供選擇。

SGD封裝示意圖
TVAS

需求
在高速傳輸上市場應用需求大增，小型TVS二極體具備高靜電保護能力外並且具備極小電容值才能真正滿足市場的需求。傳統的保護方法已不再普遍地適用。

包裝
product

L(mm)	W(mm)	H(mm)
1

0402 1.00 ± 0.05 0.60 ± 0.05 0.50 ± 0.05

特性
(a)-預崩潰區(Pre-Breakdown Region)

此區為低電流區，此時電壓與電流滿足歐姆特性，電阻係數約1012~1013Ω ，可視為絕緣體。此區會受到溫度變化的影響，當溫度升高時，通過STD的電流會增大，而此電流一般稱為漏電流(Leakage Current)。

(b)-崩潰區(Breakdown Region)

此區為STD的作用區，電壓與電流不再滿足歐姆定理。當電壓稍微變化時，電流就會有明顯的變化。STD就是利用這個特性來達到保護電路元件的功能。

©-上升區(Upturn Region)

此區為高電流區，電壓與電流的關係再度滿足歐姆定理，電阻係數約為1Ω以下 。

標準
通過 IEC61000-4-2 ESD標準。

參數
適用系列範圍：STS、STA、STN、STD

1.Working peak reverse voltage (VRWM)：

最大連續工作的直流電壓。

2.最大反向漏電流Maximum reverse leakage(IR)：

VRWM是STD最大連續工作的直流電壓，當這個電壓加於STD的兩端極時它處於反向狀態，流過它的電流應小於或等於其最大反向漏電流IR。

3.擊穿電壓Breakdown voltage(VBR)：

VBR是STD的擊穿電壓。在25℃時，低於這個電壓STD是不會發生雪崩的。當STD流過規定的1mA電流(IR)時，加於STD兩極的電壓為其擊穿電壓VBR。

4.抑制電壓Clamping voltage(VCL)：

VCL在IPP=16A, tp=100ns，使用TLP所量測。

5.最大抑制電壓Maximum Clamping voltage(VC)：

VC在IPP=1A & 4A，使用8*20 us Surge所量測。

6.電容量Parasitic capacitance(CESD)：

CESD是由STD雪崩結截面決定的，是在特定的1MHz頻率下測得的。CESD的大小與STD的電流承受能力成正比，C太大將使信號衰減。因此，C是數據介面電路選用TVS的重要參數。

動作原理
當突波電壓超過STD的崩潰電壓時，STD電阻值會瞬間急速下降，誘導電流經由STD流通到地，而不流入系統電路中，使得過電壓馬上就被STD抑制下來，達到保護系統電路，不受突波侵襲造成破壞。

principle

規格
Part Number Reverse Working Voltage Parasitic Capacitance Clamping Voltage
(ESD and TLP) Peak Pulse Power Peak Pulse Current
Symbol VRWM(max.) CESD(1MHz)(typ.) VCL(VESD 8KV) PPK(8/20μs) IPP(8/20μs)
0402TD3R3-0R5A 3.3V 0.35pF 11V 60W 3A
0402TD240-0R5A 24.0V 0.35pF 15V 24W 3A