【STM32】常用存储器

常用存储器

RAM 存储器

RAM 是“Random Access Memory”的缩写，被译为随机存储器。所谓“随机存取”，指的是当存储器中的消息被读取或写入时，所需要的时间与这段信息所在的位置无关。而RAM可随读取其内部任意地址的数据，时间都是相同的，因此得名。实际上现在RAM已经专门用于指代作为计算机内存的易失性半导体存储器。
根据 RAM 的存储机制，又分为动态随机存储器 DRAM(Dynamic RAM)以及静态随机存储器 SRAM(Static RAM)两种。

实际应用场合中，SRAM 一般只用于 CPU 内部的高速缓存(Cache)，而外部扩展的内存一般使用 DRAM。在 STM32 系统的控制器中，只有 STM32F429 型号或更高级的芯片才支持扩展 SDRAM，其它型号如 STM32F1、STM32F2 及 STM32F407 等型号只能扩展SRAM。

DRAM

RAM的一种，需要电荷刷新，掉电数据丢失，动态随机存储器 Dynamic RAM 的存储单元以电容的电荷来表示数据，有电荷代表 1，无电荷代表 0。

SDRAM

DRAM的一种，使用时钟同步进行刷新。由于使用时钟同步的通讯速度更快，所以SDRAM 使用更为广泛，这种 DRAM 被称为 SDRAM(Synchronous DRAM)。

DDR SDRAM

Double Data Rate SDRAM 进一步提高 SDRAM 的通讯速度，DDR SDRAM 在时钟的上升沿及下降沿各表示一个数据，也就是说在 1 个时钟周期内可以表示 2 位数据，在时钟频率同样的情况下，提高了一倍的速度.

SRAM

相对于DRAM电路结构不需要定时刷新充电，就能保持状态(当然，如果断电了，数据还是会丢失的)。
同样地，SRAM 根据其通讯方式也分为同步(SSRAM)和异步 SRAM，相对来说，异步SRAM 用得比较广泛

ROM 存储器

Read Only Memory，原指只读存储器，后设计出方便写入的存储器，现在一般用于指代非易失性半导体存储器，包括FLASH 存储器，有些人也把它归到 ROM 类里边。

MASK ROM 不可修改

MASK(掩膜) ROM 就是正宗的“Read Only Memory”，存储在它内部的数据是在出厂时使用特殊工艺固化的，生产后就不可修改，其主要优势是大批量生产时成本低。当前在生产量大，数据不需要修改的场合，还有应用。

OTPROM 可修改一次

OTPROM(One Time Programable ROM)是一次可编程存储器。这种存储器出厂时内部并没有资料，用户可以使用专用的编程器将自己的资料写入，但只能写入一次，被写入过后，它的内容也不可再修改。在 NXP 公司生产的控制器芯片中常使用 OTPROM 来存储密钥或设备独有的 mac 地址等内容。

EPROM 可重复擦写的存储器（基本不用）

EPROM(Erasable Programmable ROM)是可重复擦写的存储器，它解决了 PROM 芯片只能写入一次的问题。这种存储器使用紫外线照射芯片内部擦除数据，擦除和写入都要专用的设备。现在这种存储器基本淘汰，被 EEPROM 取代。

EEPROM 电可重复擦除 单字节写入

EEPROM(Electrically Erasable Programmable ROM)是电可擦除存储器。EEPROM 可以重复擦写，它的擦除和写入都是直接使用电路控制，不需要再使用外部设备来擦写。而且可以按字节为单位修改数据，无需整个芯片擦除。现在主要使用的 ROM 芯片都是EEPROM。

FLASH 存储器

1.可重复擦写
2.的容量一般比 EEPROM 大得多
3.在擦除时，一般以多个字节为单位，一个扇区
4.FLASH 存储器又分为 NOR FLASH 和 NAND FLASH

NOR 、NAND FLASH （地址线数据线是否复用，能不能以单字节读取）

NOR与 NAND 的共性是在数据写入前都需要有擦除操作，而擦除操作一般是以“扇区
/块”为单位的。而 NOR 与 NAND 特性的差别，主要是由于其内部“地址/数据线”是否分 开.

于 NOR 的地址线和数据线分开，它可以按“字节”读写数据，符合 CPU 的指令译码执行要求，所以假如 NOR 上存储了代码指令，CPU 给 NOR 一个地址，NOR就能向 CPU返回一个数据让 CPU 执行，中间不需要额外的处理操作。

于 NAND 的数据和地址线共用，只能按“块”来读写数据，假如 NAND上存储了代码指令，CPU 给 NAND 地址后，它无法直接返回该地址的数据，所以不符合指令译码要求。若代码存储在 NAND 上，可以把它先加载到 RAM 存储器上，再由 CPU 执行。

在功能上可以认为 NOR是一种断电后数据不丢失的 RAM，但它的擦除单位与 RAM有区别，且读写速度比 RAM 要慢得多。

NOR FLASH 一般应用在代码存储的场合，如嵌入式控制器内部的程序存储空间。而NAND FLASH一般应用在大数据量存储的场合，包括SD 卡、U 盘以及固态硬盘等，都是 NAND FLASH 类型的。