STM32 - FLASH 笔记

STM32F1系列的FLASH包含程序存储器、系统存储器和选项字节三个部分，通过闪存存储器接口（外设）可以对程序存储器和选项字节进行擦除和编程

读写FLASH的用途：

• 利用程序存储器的剩余空间来保存掉电不丢失的用户数据     
• 通过在程序中编程（IAP），实现程序的自我更新

在线编程（In-Circuit Programming – ICP）用于更新程序存储器的全部内容，它通过JTAG、SWD协议或系统加载程序（Bootloader）下载程序

在程序中编程（In-Application Programming – IAP）可以使用微控制器支持的任一种通信接口下载程序

内存映射 

小容量产品（16K 至 32K）、中容量产品（64k 至 128k）、大容量产品（256K 至 512K）。

闪存存储器接口（外设）不属于闪存 

FLASH基本结构 

可以看出 闪存存储器接口（外设）整体结构

 使用指针访问存储器

1. 使用指针读指定地址下的存储器：     uint16_t Data = *((__IO uint16_t *)(0x08000000));
2. 使用指针写指定地址下的存储器：     *((__IO uint16_t *)(0x08000000)) = 0x1234; 
3. #define    __IO    volatile

易读不易写 可以直接读或者像下面代码一样封装一个函数读

/**
  * 函    数：FLASH读取一个32位的字
  * 参    数：Address 要读取数据的字地址
  * 返 回 值：指定地址下的数据
  */
uint32_t MyFLASH_ReadWord(uint32_t Address)
{
	return *((__IO uint32_t *)(Address));	//使用指针访问指定地址下的数据并返回
}
 
/**
  * 函    数：FLASH读取一个16位的半字
  * 参    数：Address 要读取数据的半字地址
  * 返 回 值：指定地址下的数据
  */
uint16_t MyFLASH_ReadHalfWord(uint32_t Address)
{
	return *((__IO uint16_t *)(Address));	//使用指针访问指定地址下的数据并返回
}
 
/**
  * 函    数：FLASH读取一个8位的字节
  * 参    数：Address 要读取数据的字节地址
  * 返 回 值：指定地址下的数据
  */
uint8_t MyFLASH_ReadByte(uint32_t Address)
{
	return *((__IO uint8_t *)(Address));	//使用指针访问指定地址下的数据并返回
}

程序存储器使用方法 

FLASH锁 

擦除控制器（FPEC）共有三个键值：   

•  RDPRT键 = 0x000000A5
• KEY1 = 0x45670123   
•  KEY2 = 0xCDEF89AB

解锁：     复位后，FPEC被保护，不能写入FLASH_CR     在FLASH_KEYR先写入KEY1，再写入KEY2，解锁错误的操作序列会在下次复位前锁死FPEC和FLASH_CR

加锁：     设置FLASH_CR中的LOCK位锁住 FPEC 和 FLASH_CR 

该环节库函数两行代码即可完成，实际操作并不复杂，只是这样侧面说明FLASH的复杂及不易出现问题导致丢失。

    FLASH_Unlock();					//解锁
	
	FLASH_Lock();					//加锁

程序存储器全擦除

流程图 

/**
  * 函    数：FLASH全擦除
  * 参    数：无
  * 返 回 值：无
  * 说    明：调用此函数后，FLASH的所有页都会被擦除，包括程序文件本身，擦除后，程序将不复存在
  */
void MyFLASH_EraseAllPages(void)
{
	FLASH_Unlock();					//解锁
	FLASH_EraseAllPages();			//全擦除
	FLASH_Lock();					//加锁
}

程序存储器页擦除 

流程图 

/**
  * 函    数：FLASH页擦除
  * 参    数：PageAddress 要擦除页的页地址
  * 返 回 值：无
  */
void MyFLASH_ErasePage(uint32_t PageAddress)
{
	FLASH_Unlock();					//解锁
	FLASH_ErasePage(PageAddress);	//页擦除
	FLASH_Lock();					//加锁
}

程序存储器编程 

流程图 

/**
  * 函    数：FLASH编程字
  * 参    数：Address 要写入数据的字地址
  * 参    数：Data 要写入的32位数据
  * 返 回 值：无
  */
void MyFLASH_ProgramWord(uint32_t Address, uint32_t Data)
{
	FLASH_Unlock();							//解锁
	FLASH_ProgramWord(Address, Data);		//编程字
	FLASH_Lock();							//加锁
}
 
/**
  * 函    数：FLASH编程半字
  * 参    数：Address 要写入数据的半字地址
  * 参    数：Data 要写入的16位数据
  * 返 回 值：无
  */
void MyFLASH_ProgramHalfWord(uint32_t Address, uint16_t Data)
{
	FLASH_Unlock();							//解锁
	FLASH_ProgramHalfWord(Address, Data);	//编程半字
	FLASH_Lock();							//加锁
}

 选项字节

• RDP：写入RDPRT键（0x000000A5）后解除读保护
• USER：配置硬件看门狗和进入停机/待机模式是否产生复位
• Data0/1：用户可自定义使用
• WRP0/1/2/3：配置写保护，每一个位对应保护4个存储页（中容量）

 nUSER及前面＋ n 是反码

• 0：实施写保护
• 1：不实施写保护

• WRP0：第0~31页的写保护
• WRP1：第32~63页的写保护
• WRP2：第64~95页的写保护
• WRP3：第96~127页的写保护

选项字节编程

• 检查FLASH_SR的BSY位，以确认没有其他正在进行的编程操作
• 解锁FLASH_CR的OPTWRE位
• 设置FLASH_CR的OPTPG位为1
• 写入要编程的半字到指定的地址
• 等待BSY位变为0
• 读出写入的地址并验证数据

选项字节擦除 

• 检查FLASH_SR的BSY位，以确认没有其他正在进行的闪存操作
• 解锁FLASH_CR的OPTWRE位
• 设置FLASH_CR的OPTER位为1
• 设置FLASH_CR的STRT位为1
• 等待BSY位变为0
• 读出被擦除的选择字节并做验证