FF400R07A01E3S6(400A)FF08MR12W1MA1B11(150A)IGBT模块

FF400R07A01E3S6  DSC S1 IGBT模块是一款非常紧凑的半桥模块，设计用于混合动力和电动汽车。该模块包括片上集成电流传感器和温度传感器，可精确监测IGBT 状态。该IGBT模块具有高达700V阻断电压能力、集成电流传感器、集成温度传感器、低电感设计和低开关损耗。该IGBT模块采用创新的小型封装，设计用于双面冷却 (DSC)，具有出色的散热性能。HybridPACK™ DSC S1 IGBT模块提供2.5kVAC绝缘，符合RoHS指令。该IGBT模块非常适合用于汽车应用和混合动力电动汽车 (HEV)。

参数：FF400R07A01E3S6XKSA2 / FF400R07A01E3S6
产品种类：IGBT 模块
配置:：Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO：700 V
在25 C的连续集电极电流:：400 A
集电极—射极饱和电压：1.65 V
栅极/发射极最大电压：20 V
栅极—射极漏泄电流：400 nA
Pd-功率耗散：1500 W
工作温度：-40°C ~ 150°C

特征
阻断电压能力提高至700V
集成电流传感器
集成式温度传感器
低电感设计
低开关损耗
Tvj op=150°C
短时间扩展工作温度：Tvj op=175°C
绝缘：2.5kVAC 1分钟
双面冷却
紧凑型设计
符合RoHS指令

FF08MR12W1MA1B11 1200V CoolSiC™模块是碳化硅 (SiC) MOSFET模块，具有较高的效率和系统灵活性。这些模块采用近阈值电路 (NTC) 和PressFIT触点技术。该款CoolSiC模块具有高电流密度、出色的开关和导通损耗以及低电感设计。这些模块具有高频工作能力、较高的功率密度以及经过优化的开发周期时间和成本。

参数：FF08MR12W1MA1B11 / FF08MR12W1MA1B11ABPSA1
FET 类型：2 N-通道（双）
FET 功能：碳化硅（SiC）
漏源电压（Vdss）：1200V（1.2kV）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：150A（Tj）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：9.8 毫欧 @ 150A，15V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5.55V @ 90mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：15V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：600V
功率 - 最大值：20mW（Tc）
工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：底座安装
封装/外壳：模块
供应商器件封装：AG-EASY1BM-2
基本产品编号：FF08MR12

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