• 嵌入式分享合集37


    做程序员不容易最近被坑货销售害惨了 , 客户压根没想给钱,丑八怪销售还一直忽悠,今天更离谱了里面关系错从复杂,要自己垫钱假如结项,天天吹自己有钱还至于天天来拍马屁跪舔弄这事,真的服气,长的越恶心越装... 胸糞悪いおんな

    临时兴起又加了一个问题 ,因为最近go语言和c语言tcp通信想起来的

    零、go语言 int int8 int16 和 c语言 short int long

    可能有点初级 但本人脸皮厚依然说了

    go语言中int可根据系统而变化,比如32位系统占4,64位占8字节

    但int8 int16 不根据系统变化而变化,具体in8 只到255 请自己百度懒的发了

    c语言中 char 1 ,short int 2 ,int根本系统变化吗? 欢迎留言

    一、32的启动模式配置与应用

    三种BOOT模式

        所谓启动,一般来说就是指我们下好程序后,重启芯片时,SYSCLK的第4个上升沿,BOOT引脚的值将被锁存。用户可以通过设置BOOT1和BOOT0引脚的状态,来选择在复位后的启动模式。

    • Main Flash memory
      是STM32内置的Flash,一般我们使用JTAG或者SWD模式下载程序时,就是下载到这个里面,重启后也直接从这启动程序。

    • System memory
      从系统存储器启动,这种模式启动的程序功能是由厂家设置的。一般来说,这种启动方式用的比较少。系统存储器是芯片内部一块特定的区域,STM32在出厂时,由ST在这个区域内部预置了一段BootLoader, 也就是我们常说的ISP程序, 这是一块ROM,出厂后无法修改。一般来说,我们选用这种启动模式时,是为了从串口下载程序,因为在厂家提供的BootLoader中,提供了串口下载程序的固件,可以通过这个BootLoader将程序下载到系统的Flash中。

      但是这个下载方式需要以下步骤:
      Step1:将BOOT0设置为1,BOOT1设置为0,然后按下复位键,这样才能从系统存储器启动BootLoader
      Step2:最后在BootLoader的帮助下,通过串口下载程序到Flash中
      Step3:程序下载完成后,又有需要将BOOT0设置为GND,手动复位,这样,STM32才可以从Flash中启动可以看到, 利用串口下载程序还是比较的麻烦, 需要跳帽跳来跳去的,非常的不注重用户体验。

    • Embedded Memory
      内置SRAM,既然是SRAM,自然也就没有程序存储的能力了,这个模式一般用于程序调试。假如我只修改了代码中一个小小的地方,然后就需要重新擦除整个Flash,比较的费时,可以考虑从这个模式启动代码(也就是STM32的内存中),用于快速的程序调试,等程序调试完成后,在将程序下载到SRAM中。

    开发BOOT模式选择

        通常使用程序代码存储在主闪存存储器,配置方式:BOOT0=0,BOOT1=X。

    Flash锁死解决办法

        开发调试过程中,由于某种原因导致内部Flash锁死,无法连接SWD以及Jtag调试,无法读到设备,可以通过修改BOOT模式重新刷写代码。

        修改为BOOT0=1,BOOT1=0即可从系统存储器启动,ST出厂时自带Bootloader程序,SWD以及JTAG调试接口都是专用的。重新烧写程序后,可将BOOT模式重新更换到BOOT0=0,BOOT1=X即可正常使用。 whaosoft aiot http://143ai.com

    二、STM32启动文件

    承接上文应该有参考的部分

    本文对STM32启动文件startup_stm32f10x_hd.s的代码进行讲解,此文件的代码在任何一个STM32F10x工程中都可以找到。

    启动文件使用的ARM汇编指令汇总

    Stack——栈

    Stack_Size EQU 0x00000400
    AREA STACK, NOINIT, READWRITE, ALIGN=Stack_Mem SPACE Stack_Size__initial_sp

        开辟栈的大小为 0X00000400(1KB),名字为 STACK, NOINIT 即不初始化,可读可写, 8(2^3)字节对齐。

        栈的作用是用于局部变量,函数调用,函数形参等的开销,栈的大小不能超过内部SRAM 的大小。如果编写的程序比较大,定义的局部变量很多,那么就需要修改栈的大小。如果某一天,你写的程序出现了莫名奇怪的错误,并进入了硬 fault 的时候,这时你就要考虑下是不是栈不够大,溢出了。

        EQU:宏定义的伪指令,相当于等于,类似于C 中的 define。

        AREA:告诉汇编器汇编一个新的代码段或者数据段。STACK 表示段名,这个可以任意命名;NOINIT 表示不初始化;READWRITE 表示可读可写, ALIGN=3,表示按照 2^3对齐,即 8 字节对齐。

        SPACE:用于分配一定大小的内存空间,单位为字节。这里指定大小等于 Stack_Size。

        标号__initial_sp 紧挨着 SPACE 语句放置,表示栈的结束地址,即栈顶地址,栈是由高向低生长的。

    Heap——堆

        开辟堆的大小为 0X00000200(512 字节),名字为 HEAP, NOINIT 即不初始化,可读可写, 8(2^3)字节对齐。__heap_base 表示对的起始地址, __heap_limit 表示堆的结束地址。堆是由低向高生长的,跟栈的生长方向相反。

        堆主要用来动态内存的分配,像 malloc()函数申请的内存就在堆上面。这个在 STM32里面用的比较少。​​​​​​​

    PRESERVE8 THUMB

       PRESERVE8:指定当前文件的堆栈按照 8 字节对齐。

        THUMB:表示后面指令兼容 THUMB 指令。THUBM 是 ARM 以前的指令集, 16bit,现在 Cortex-M 系列的都使用 THUMB-2 指令集, THUMB-2 是 32 位的,兼容 16 位和 32 位的指令,是 THUMB 的超集。

    向量表​​​​​​​

    AREA RESET, DATA, READONLYEXPORT __VectorsEXPORT __Vectors_EndEXPORT __Vectors_Size

        定义一个数据段,名字为 RESET,可读。并声明 __Vectors、 __Vectors_End 和__Vectors_Size 这三个标号具有全局属性,可供外部的文件调用。

        EXPORT:声明一个标号可被外部的文件使用,使标号具有全局属性。如果是 IAR 编译器,则使用的是 GLOBAL 这个指令。

        当内核响应了一个发生的异常后,对应的异常服务例程(ESR)就会执行。为了决定 ESR的入口地址, 内核使用了―向量表查表机制‖。这里使用一张向量表。向量表其实是一个WORD(32 位整数)数组,每个下标对应一种异常,该下标元素的值则是该 ESR 的入口地址。向量表在地址空间中的位置是可以设置的,通过 NVIC 中的一个重定位寄存器来指出向量表的地址。在复位后,该寄存器的值为 0。因此,在地址 0 (即 FLASH 地址 0) 处必须包含一张向量表,用于初始时的异常分配。要注意的是这里有个另类:0 号类型并不是什么入口地址,而是给出了复位后 MSP 的初值。下图是F103的向量表。

     

    __Vectors DCD __initial_sp ;栈顶地址DCD Reset_Handler ;复位程序地址DCD NMI_HandlerDCD HardFault_HandlerDCD MemManage_HandlerDCD BusFault_HandlerDCD UsageFault_HandlerDCD 0 ; 0 表示保留DCD 0DCD 0DCD 0DCD SVC_HandlerDCD DebugMon_HandlerDCD 0DCD PendSV_HandlerDCD SysTick_Handler;外部中断开始DCD WWDG_IRQHandlerDCD PVD_IRQHandlerDCD TAMPER_IRQHandler;限于篇幅,中间代码省略DCD DMA2_Channel2_IRQHandlerDCD DMA2_Channel3_IRQHandlerDCD DMA2_Channel4_5_IRQHandler__Vectors_End__Vectors_Size EQU __Vectors_End - __Vectors

        __Vectors 为向量表起始地址, __Vectors_End 为向量表结束地址,两个相减即可算出向量表大小。

        向量表从 FLASH 的 0 地址开始放置,以 4 个字节为一个单位,地址 0 存放的是栈顶地址, 0X04 存放的是复位程序的地址,以此类推。从代码上看,向量表中存放的都是中断服务函数的函数名,可我们知道 C 语言中的函数名就是一个地址。

        DCD:分配一个或者多个以字为单位的内存,以四字节对齐,并要求初始化这些内存。在向量表中, DCD 分配了一堆内存,并且以 ESR 的入口地址初始化它们。

    复位程序

    AREA |.text|, CODE, READONLY

        定义一个名称为.text 的代码段,可读。

        复位子程序是系统上电后第一个执行的程序,调用 SystemInit 函数初始化系统时钟,然后调用 C 库函数_mian,最终调用 main 函数去到 C 的世界。

        WEAK:表示弱定义,如果外部文件优先定义了该标号则首先引用该标号,如果外部文件没有声明也不会出错。这里表示复位子程序可以由用户在其他文件重新实现,这里并不是唯一的。

        IMPORT:表示该标号来自外部文件,跟 C 语言中的 EXTERN 关键字类似。这里表示 SystemInit 和__main 这两个函数均来自外部的文件。

        SystemInit()是一个标准的库函数,在 system_stm32f10x.c 这个库文件中定义。主要作用是配置系统时钟,这里调用这个函数之后,单片机的系统时钟配被配置为 72M。__main 是一个标准的 C 库函数,主要作用是初始化用户堆栈,并在函数的最后调用main 函数去到 C 的世界。这就是为什么我们写的程序都有一个 main 函数的原因。

         LDR、 BLX、 BX 是 CM4 内核的指令,可在《CM3 权威指南 CnR2》第四章-指令集里面查询到,具体作用见下表:

     中断服务程序

        在启动文件里面已经帮我们写好所有中断的中断服务函数,跟我们平时写的中断服务函数不一样的就是这些函数都是空的,真正的中断服务程序需要我们在外部的 C 文件里面重新实现,这里只是提前占了一个位置而已。

        如果我们在使用某个外设的时候,开启了某个中断,但是又忘记编写配套的中断服务程序或者函数名写错,那当中断来临的时,程序就会跳转到启动文件预先写好的空的中断服务程序中,并且在这个空函数中无线循环,即程序就死在这里。​​​​​​​

    NMI_Handler PROC ;系统异常EXPORT NMI_Handler [WEAK]B .ENDP;限于篇幅,中间代码省略SysTick_Handler PROCEXPORT SysTick_Handler [WEAK]B .ENDPDefault_Handler PROC ;外部中断EXPORT WWDG_IRQHandler [WEAK]EXPORT PVD_IRQHandler [WEAK]EXPORT TAMP_STAMP_IRQHandler [WEAK];限于篇幅,中间代码省略LTDC_IRQHandlerLTDC_ER_IRQHandlerDMA2D_IRQHandlerB .ENDP

       B:跳转到一个标号。这里跳转到一个‘.’,即表示无线循环

    用户堆栈初始化

    ALIGN

        ALIGN:对指令或者数据存放的地址进行对齐,后面会跟一个立即数。缺省表示 4 字节对齐。​​​​​​​

    ;用户栈和堆初始化,由 C 库函数_main 来完成IF :DEF:__MICROLIB ;这个宏在 KEIL 里面开启EXPORT __initial_spEXPORT __heap_baseEXPORT __heap_limitELSEIMPORT __use_two_region_memory ; 这个函数由用户自己实现EXPORT __user_initial_stackheap__user_initial_stackheapLDR R0, = Heap_MemLDR R1, =(Stack_Mem + Stack_Size)LDR R2, = (Heap_Mem + Heap_Size)LDR R3, = Stack_MemBX LRALIGNENDIFEND

        首先判断是否定义了__MICROLIB ,如果定义了这个宏则赋予标号__initial_sp(栈顶地址)、 __heap_base(堆起始地址)、 __heap_limit(堆结束地址)全局属性,可供外部文件调用。有关这个宏我们在 KEIL 里面配置,具体见下图。然后堆栈的初始化就由 C 库函数_main 来完成。

        如果没有定义__MICROLIB,则才用双段存储器模式,且声明标号__user_initial_stackheap 具有全局属性,让用户自己来初始化堆栈。

        前文的汇编代码,需要注意:

    • IF,ELSE,ENDIF:汇编的条件分支语句,跟 C 语言的 if ,else 类似

    • END:文件结束

    三、Flash写了保护怎么办

    关于STM32对内部Flash的保护 
        为了防止对Flash的非法访问,所有STM32的芯片都提供对Flash的保护,具体分为写保护和读保护。

        如果对Flash设置了写保护,那就无法对Flash进行编程和擦除。在开发STM32的时候,如果出现这种情况,通常仿真器都支持对Flash进行解锁,像jlink,stlink等仿真器都支持这个功能。

        在使用MDK进行调试的时候,可能会遇到如下图所示的报错信息,这时候就要排查Flash是不是被保护起来了。 

        读保护即大家通常说的“加密”,是作用于整个Flash存储区域。一旦设置了Flash的读保护,内置的Flash存储区只能通过程序的正常执行才能读出,而不能通过下述任何一种方式读出:

    • 通过调试器(JTAG或SWD)

    • 从RAM中启动并执行的程序

        写保护是以四页(1KB/页) Flash存储区为单位提供写保护,对被保护的页实施编程或擦除操作将不被执行,同时产生操作错误标志,读与写设置的效果见下表: 

        当Flash读保护生效时,CPU执行程序可以读受保护的Flash区,但存在两个例外情况: 

    • 调试执行程序时

    • 从RAM启动并执行程序时 

        STM32还提供了一个特别的保护,即对Flash存储区施加读保护后,即使没有启用写保护,Flash的第 0 ~ 3 页也将处于写保护状态,这是为了防止修改复位或中断向量而跳转到RAM区执行非法程序代码。 
    Flash保护的相关函数   ​​​​​​​

    FLASH_Unlock();   //Flash解锁 FLASH_ReadOutProtection(DISABLE);  //Flash读保护禁止   FLASH_ReadOutProtection(ENABLE);   //Flash读保护允许

    STM32如何设置读保护和解除读保护?

        读保护设置后将不能读出Flash中的内容。

    如何设置读保护

        在程序的开头加入“设置读保护”的代码即可,每次运行代码时都检查一下,如果没有开就打开,如果打开了就跳过。其中,设置读保护的代码如下:int main(void)

    {  ...  if (FLASH_GetReadOutProtectionStatus()!=SET)//检查设置读保护与否  {    FLASH_Unlock();         //写保护时可以不用这句话,可用可不用    FLASH_ReadOutProtection(ENABLE);     //设置读保护  }  ...  while(1)  {    ...  }}

        上面的代码执行后,使用j-link就不能读出程序了,实现了代码读保护。需要注意的是,芯片读保护后无法再次烧写新的程序到Flash中,必须要解除读保护才可以。但是当解除读保护的时候STM32会自动擦除整个Flash,起到保护数据的作用。

    通过代码解除Flash保护

        解除读保护可以设置在按键里面,方便实现解锁,也可以设置在命令中。如下是解除读保护代码:

    void Off_Protect(void) //关闭保护{if(FLASH_GetReadOutProtectionStatus() != RESET)  {    FLASH_Unlock(); //不解锁FALSH也可设置读保护,可用可不用    FLASH_ReadOutProtection(DISABLE);    FLASH_Lock();   //上锁  }}

        程序中设置一个按键或者命令,可以随时解除Flash的读保护,让芯片又可以重新烧录程序。如果没有留,还可以专门写一个程序,下载到RAM中去运行,用来解除读保护。

        注意:执行后,Flash会自动全部擦除。​​​​​​​

    int main(void){Chip_Init();  FLASH_Unlock(); //不解锁FALSH也可设置读保护,可用可不用  FLASH_ReadOutProtection(DISABLE);}

    通过ST-Link Utility来解除Flash保护

        在STLink连接目标板的情况下打开程序烧写软件ST-Link Utility,在菜单栏的Target下选择connect,因为这时候Flash已经被锁住了,能看到如下图所示的错误提示。

        下面来操作如何解除Flash保护。

        请确保当前已经正确连接了STLink和目标板,在菜单栏Target里打开Option Bytes...选项,发现在这里Read Out Protection选项是Enable,这个表示无法通过SWD读取STM32内部Flash的程序。

        将Read Out Protection选项设置为Disable,并点击Apply。

        这时候Flash已经成功解锁了,跟上文提到的解除Flash保护的结果一样,内部Flash已经被擦除了,如下图红框中所示。

        完成以上步骤之后,在菜单栏Target下选择Disconnect断开与目标板连接。

        重新进入MDK,可以正常对目标板烧写程序了。

    通过ST-Link Utility来设置Flash保护

        在菜单栏Target里打开Option Bytes...选项,可以看到下面有Flash sector protection选项。选择Select all之后,发现所有Page的Protection项都已经变成Write Protection了,只要选择Apply选项就可以对Flash进行写保护,如上图所示。

    四、直流电压有有效值吗

    电压的有效值是多少?

        一个100kHz的方波信号,幅度大约是几伏的数量级,想测量其有效值,用什么仪器,怎么测?多数学生一脸茫然,搞的我不好意思,惭愧题目是不是太难了。我急了,问学生,一个1.5V的电池,其电压有效值是多少?学生问我,直流量有有效值吗?

        什么是有效值?一个变化电压的有效值,是指把它加载到一个确定的阻性负载上,在一个周期内的功,与电压为A的直流量作用在相同的负载上,在等长时间内的功相同,那么该变化电压的有效值就是A。广义理解,一个电池的电压有效值就是1.5V,一个幅度为A的方波,如果是单极性方波,占空比50%,有效值为幅值A的0.707倍。这时候,又有人问我,什么是方波啊?

        以前一个学生,参与的一个题目,用一个10欧姆电阻把一个待测的1uA左右的电流转变成10uV左右的电压,然后用AD620和多级直流放大进入ADC,却发现输出总有很大的偏移量。于是就买了好些个放大器,挑选,想让偏移量小些。查查资料就知道,AD620A级的输入失调电压典型值为30uV,最大值为125uV,已经远大于被测信号10uV。至少应该知道,此处使用被大家广为推崇的AD620是不靠谱的。

    下面科普基本概念

    一、基本概念:

        交流电的有效值:

        在相同的电阻上分别通以直流电流和交流电流,经过一个交流周期的时间,如果它们在电阻上所损失的电能相等的话,则把该直流电流(电压)的大小作为交流电流(电压)的有效值,正弦电流(电压)的有效值等于其最大值(幅值)的0.707倍。

        交流电的平均值:

        对于交流电来说,数学上的平均值是0(因为是正负是对称的)。但电工技术上我们关心的是其量值(绝对值)的大小。所以电工技术上的平均值指的是电流(电压)的绝对值在一个周期内的平均值。

    二、例子:

        1、10V的直流电压加在10Ω电阻的两端,电阻的发热功率是多少?

        这个答案很简单,坛里所有的朋友都会:P=U×U/R=10V×10V/10Ω=10W

        2、如果把上面的10V直流电压改成下图±10V的方波呢,电阻的发热功率又是多少?

        答案是否也不难?因为负半周时电压的平方和正半周时是一样的,所以功率也和上面一样还是10W!

        电压是负的功率还是正的,也就是功率和电压的正负无关。

        图中红色部分是正半周做的功,蓝色部分是负半周作的功。

        问:这个±10V的方波电压的平均值是多少?有效值是多少?峰值是多少?

        根据上面的定义,很明显:

        ①平均值是10V(其电压的绝对值在一个周期内的平均值是10V);

        ②有效值是10V(发热功率相同的等效直流电压是10V);

        ③峰值是10V

        3、如果把上面的方波去掉负半周部分(也就是+10V方波),那电阻上的功率又会是多少呢?

        很明显,只有一半时间在做功,从宏观上看其平均功率只有一半了,也就是5W!

    同问:这个+10V的方波电压的平均值是多少?有效值是多少?峰值是多少?

        根据上面的定义,很明显:

        ①平均值是5V(其电压的绝对值在一个周期内的平均值是5V);

        ②有效值是7.07V:(发热功率相同的等效直流电压是:U^2=PR=5W×10Ω,U=根号50≈7.07V);

        ③峰值是10V

        可见:去掉负半周后其电压的平均值是原来的一半,而有效值并不是原来的一半,而是原来的0.707倍!峰值不变。

        以上为了便于理解,用了方波做例子计算。

        如果用正弦波,那么就需要有高等数学的微积分知识,对于某些朋友可能理解困难。

        事实上为什么正弦交流电的峰值和有效值之间是根号2倍的关系,以及平均值之间的关系等都是通过积分计算得出的,对于非正弦波其关系就不一定相同了,所以千万别乱套用。

        对于正弦波现在我们可以用有效值相同的方波去等效,那么也可以得出这样的结论:半波整流后的电压有效值是整流前的有效值的0.707倍,而并不是有些朋友理解的一半。

    五、ESP-32能否吊打STM32

    ESP 32开发板。

    一.功能强大

    自带wifi+蓝牙是最大亮点!一起来看看ESP32的规格,就知道它强在哪里了。

    ● 内置WiFi和蓝牙,就不需要额外的以太网模块或wifi模块了,集成度高;

     双核 CPU,可以主频为 80、160 或 240MHz。对于一个体积小巧的芯片中是相当多的计算了;

    ● 高级外设接口:I2C, SPI, CAN等,可以实现很多应用,不仅仅是个Wi-Fi MCU;

    ● 大量内存:ESP32包括 512KB 的片上 SRAM 存储器,还支持外部存储器,具体取决于主板,可能高达 4 到 8MB。这意味着ESP32 适用于一些较重的任务,例如连接摄像头、识别语音、从互联网流式传输数据等。

    二.价格亲民

    ESP32确实性价比非常高!不仅功能强大,而且价格便宜。不算flash,只要9元!

    在现在这个时代,9元能买什么?!但却可以买到ESP32,让开发爱好者尽情激发自己折腾的欲望。

    而且在疫情冲击下,半导体供应链面临的缺货问题,ESP 32也不存在!不缺货,也不涨价,性价比那么高,还有什么理由不用它呢?

    三.IOT上近乎无敌

    有网友毫不客气地说,IoT领域可能以后有ESP 32就没stm32什么戏唱了。虽然观点略显偏颇,但也不全无道理。

    stm32是通用芯片,应用更全面;而ESP 32是物联网专用芯片,其算力性能,启动速度,稳定性,耐久度,可操作io数量及类型,啥都够,实在是太好用了。

    首先,ESP32的片上资源和引脚接口特别丰富,打造出各种物联网场景智能设备绰绰有余了。现在物联网产品协议使用的最多的还是Wi-Fi,这两年BLE和BLE Mesh也发展的很快,Zigbee反而日渐势微,而ESP32同时支持Wi-Fi和蓝牙,加上其超高的性价比,前景不可限量。

    其次,在嵌入式开发者中,ESP系列芯片深入人心,在国内某宝/B站以及国外youtube等上面都能找到大量有意思的开发者作品。ESP8266资源太少,而且只支持Wi-Fi,加上现在ESP32的价格也已经非常便宜了,如果想打造一个智能设备,首选ESP32完全OK。

    再次,现在已经是物联网的时代了,开发出的智能设备也不能只停留在开发台上,希望能远程控制,访问。但是想要同时做好智能设备开发、连接云端服务、手机设备程序等全链路开发难度还是不小的。而ESP32有云端一体的全链路开发框架,开发远程硬件应用就很方便,比如做个家里燃气/火焰/甲醛检测设备,发现危险就推送消息到手机。

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