参数：IMBG120R220M1HXTMA1（IMBG120R220M1H）
FET 类型：N 通道
技术：SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）：1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：13A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：294 毫欧 @ 4A，18V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5.7V @ 1.6mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：9.4 nC @ 18 V
Vgs（最大值）：+18V，-15V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：312 pF @ 800 V
FET 功能：标准
功率耗散（最大值）：83W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：PG-TO263-7-12
封装/外壳：TO-263-8，D²Pak（7 引线+接片），TO-263CA
基本产品编号：IMBG120
概述
IMBG120R220M1H 是采用D2PAK-7L (TO-263-7)封装的1200 V, 220 mΩ CoolSiC SiC MOSFET，它基于先进的沟槽工艺，该工艺经过优化，兼具性能与可靠性。它采用改良版1200V SMD封装，将CoolSiC技术的低功耗特性与.XT互联技术相结合，可在电机驱动、充电模块以及工业电源等应用中实现最高效率和被动制冷。
特征
极低的开关损耗
短路能力：3 µs
dV/dt完全可控
栅极阈值电压典型值：VGS(th) = 4.5 V
出色的抗寄生导通能力，能够实现0V关断
牢固的体二极管，可用于硬开关
.XT互联技术，实现一流的热性能
封装爬电距离和电气间隙 > 6.1 mm
Sense引脚，优化了开关性能
应用
不间断电源（UPS）
电动汽车快速充电
工业电机驱动和控制
太阳能系统解决方案
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