STM32内部Flash的构成

需要写入Flash的寄存器，需要先向Key寄存器写入密钥
关于双块存储模式，请查看STM32F4最新的英文参考手册

• 主存储器
  一般我们说 STM32 内部 FLASH 的时候，都是指这个主存储器区域，它是存储用户应用程序的空间，芯片型号说明中的 1M FLASH、2M FLASH 都是指这个区域的大小。
  与其它 FLASH 一样，在写入数据前，要先按扇区擦除，而有的时候我们希望能以小规格操纵存储单元
• 系统存储区
  系统存储区是用户不能访问的区域，它在芯片出厂时已经固化了启动代码，它负责实现串口、USB 以及 CAN 等 ISP 烧录功能。
• OTP 区域（只能写入一次的存储区域）
  OTP(One Time Program)，指的是只能写入一次的存储区域，容量为 512 字节，写入后数据就无法再更改，OTP 常用于存储应用程序的加密密钥。
• 选项字节
  选项字节用于配置 FLASH 的读写保护、电源管理中的 BOR 级别、软件/硬件看门狗等功能，这部分共 32 字节。可以通过修改 FLASH 的选项控制寄存器修改。

对内部 FLASH 的写入过程

解锁

由于内部 FLASH 空间主要存储的是应用程序，是非常关键的数据，为了防止误操作修改了这些内容，芯片复位后默认会结 FLASH 上锁，这个时候不允许设置 FLASH 的控制寄存器，并且不能对修改 FLASH 中的内容。
复位后，Flash 控制寄存器 (FLASH_CR) 不允许执行写操作，以防因电气干扰等原因出现对 Flash 的意外操作。
解锁的操作步骤如下

1. 在 Flash 密钥寄存器 (FLASH_KEYR) 中写入 KEY1 = 0x45670123
2. 在 Flash 密钥寄存器 (FLASH_KEYR) 中写入 KEY2 = 0xCDEF89AB
   如果顺序出现错误，将返回总线错误并锁定 FLASH_CR 寄存器，直到下一次复位。

上锁

通过软件将 FLASH_CR 寄存器中的 LOCK 位置为 1 来锁定 FLASH_CR 寄存器

数据操作位数

在内部 FLASH 进行擦除及写入操作时，电源电压会影响数据的最大操作位数，该电源电压可通过配置 FLASH_CR 寄存器中的 PSIZE 位改变


大部分应用场合都是用32位的宽度。

擦除扇区

在写入新的数据前，需要先擦除存储区域，STM32 提供了扇区擦除指令和整个 FLASH 擦除 (批量擦除) 的指令，批量擦除指令仅针对主存储区。

擦除完成后记得将SER/MER为复位

写/擦除操作进行期间不能从 Flash 中执行代码或数据获取操作

批量擦除

写入数据

写/擦除操作进行期间不能从 Flash 中执行代码或数据获取操作
擦除完毕后即可写入数据，写入数据的过程并不是仅仅使用指针向地址赋值，赋值前还还需要配置一系列的寄存器，步骤如下：

读取数据

使用指针读取数据内容
比如：

stm32标准库IIC程序

rar 0星 超过10%的资源 201KB

下载

(__IO uint32_t*)addr;
(__IO uint16_t*)addr;
(__IO uint8_t*)addr;
1
2
3

最好检查下BUSY位是否置位，检查Flash是否忙碌

查看工程文件的大小

.map文件中，搜索Memory Map of the image
查看Load Region
Load Region LR_IROM1 (Base: 0x08000000, Size: 0x0006ebb4, Max: 0x00070000, ABSOLUTE, COMPRESSED[0x0006e638])
该工程文件写入Flash的起始地址为0x0800 0000，写入的字节长度为0x0006 ebb4

读写用户选项字节

选项字节是一段特殊的 FLASH 空间，STM32 芯片会根据它的内容进行读写保护、复位电压等配置，选项字节的构成见表选项字节的构成

RDP 读保护级别

修改选项字节的 RDP 位的值可设置内部 FLASH 为以下保护级别：

• 0xAA：级别 0，无保护
  这是 STM32 的默认保护级别，它没有任何读保护，读取内部 FLASH 及“备份 SRAM”的内容都没有任何限制。(注意这里说的“备份 SRAM”是指 STM32 备份域的 SRAM空间，不是指主 SRAM，下同)
• 其它值：级别 1，使能读保护
  把 RDP 配置成除 0xAA 或 0xCC 外的任意数值，都会使能级别 1 的读保护。在这种保护下，若使用调试功能 (使用下载器、仿真器) 或者从内部 SRAM 自举时都不能对内部 FLASH 及备份 SRAM 作任何访问 (读写、擦除都被禁止)；而如果 STM32 是从内部 FLASH 自举时，它允许对内部 FLASH 及备份 SRAM 的任意访问。

也就是说，在级别 1 模式下，任何尝试从外部访问内部 FLASH 内容的操作都被禁止，例如无法通过下载器读取它的内容，或编写一个从内部 SRAM 启动的程序，若该程序读取内部 FLASH，会被禁止。而如果是芯片自己访问内部 FLASH，是完全没有问题的，例如前面的“读写内部 FLASH”实验中的代码自己擦写内部 FLASH 空间的内容，即使处于级别 1 的读保护，也能正常擦写。

STM32通过SD卡升级方案.rar

rar 0星 超过10%的资源 2.91MB

下载

当芯片处于级别 1 的时候，可以把选项字节的 RDP 位重新设置为 0xAA，恢复级别 0。在恢复到级别 0 前，芯片会自动擦除内部 FLASH 及备份 SRAM 的内容，即降级后原内部 FLASH 的代码会丢失。在级别 1 时使用 SRAM 自举的程序也可以访问选项字节进行修改，所以如果原内部 FLASH 的代码没有解除读保护的操作时，可以给它加载一个 SRAM 自举的程序进行保护降级，

• 0xCC：级别 2，禁止调试
  把 RDP 配置成 0xCC 值时，会进入最高级别的读保护，且设置后无法再降级，它会永久禁止用于调试的 JTAG 接口 (相当于熔断)。在该级别中，除了具有级别 1 的所有保护功能外，进一步禁止了从 SRAM 或系统存储器的自举 (即平时使用的串口 ISP 下载功能也失效)，JTAG 调试相关的功能被禁止，选项字节也不能被修改。它仅支持从内部 FLASH 自举时对内部 FLASH 及 SRAM 的访问 (读写、擦除)。

不同级别下的访问限制见图不同级别下的访问限制 。

修改选项字节的过程

修改选项字节的内容可修改各种配置，但是，当应用程序运行时，无法直接通过选项字节的地址改写它们的内容，例如，接使用指针操作地址 0x1FFFC0000 的修改是无效的。要改写其内容时必须设置寄存器 FLASH_OPTCR 及 FLASH_OPTCR1 中的对应数据位。

默认情况下，FLASH_OPTCR 寄存器中的第 0 位 OPTLOCK 值为 1，它表示选项字节被上锁，需要解锁后才能进行修改，当寄存器的值设置完成后，对 FLASH_OPTCR 寄存器中的第 1 位 OPTSTRT值设置为 1，硬件就会擦除选项字节扇区的内容，并把 FLASH_OPTCR/1 寄存器中包含的值写入到选项字节。

PCROP 代码读出保护

在 STM32F42xx 及 STM32F43xx 系列的芯片中，除了可使用 RDP 对整片 FLASH 进行读保护外，还有一个专用的代码读出保护功能（Proprietary code readoutprotection，下面简称 PCROP），它可以为内部 FLASH 的某几个指定扇区提供保护功能，所以它可以用于保护一些 IP 代码，方便提供给另一方进行二次开发，

当 SPMOD 位设置为 0 时 (默认值)，nWRPi 位用于指定要进行写保护的扇区，这可以防止错误的指针操作导致 FLASH 内容的改变，若扇区被写保护，通过调试器也无法擦除该扇区的内容；
当SPMOD 位设置为 1 时，nWRPi 位用于指定要进行 PCROP 保护的扇区。其中 PCROP 功能可以防止指定扇区的 FLASH 内容被读出，而写保护仅可以防止误写操作，不能被防止读出。
一般SPMOD = 0 即可，写保护

工程文件下载链接