易失性存储：掉电数据丢失

SRAM

　　不需要周期性刷新；

DRAM

　　需要周期性刷新；

SRAM与DRAM对比

　　SRAM主要用于二级高速缓存（Level2 Cache)，它利用晶体管来存储数据，与DRAM相比，SRAM的速度快，但在相同面积中SRAM的容量要比其他类型的内存小；

　　SRAM的速度快但昂贵，一般用小容量的SRAM作为更高速CPU和较低速DRAM 之间的缓存（cache）；

非易失性存储：掉电数据不丢失

EEPROM

　　擦写次数大，容量小；

NAND Flash与NOR　Flash对比

　　NOR Flash容量密度小、写入速度慢、擦除速度慢、价格高，但是NOR Flash由于其地址线和数据线分开的特性，不必再把代码读到系统RAM中，应用程序可以直接在NOR上运行（XIP,eXecute In Place），且NOR Flash还具备更快的读取速度、更强的可靠性和更长的使用寿命；

EEPROM与Flash区别

　　1）FLASH按区块操作，EEPROM则按字节操作

　　2）FLASH写入时间长，EEPROM写入时间短

　　3）FLASH擦写次数少（10000次），EEPROM次数多（1000000次）

　　4）FLASH的电路结构较简单，成本低，EEPROM工艺复杂，成本高

       5）EEPR