LDO的原理及测试方法

一、基本结构

这是LM317芯片的核心，这个电路单元称为Bandgap Reference带隙基准源。属于模拟集成电路中的经典电路结构。

LDO拓扑结构图

常见的基本结构

利用VBE的负温度系数，而VT是正温度系数，正负温度系数抵消就的得到稳定的基准参考电压了(三极管的方程VBE=VT*In(lC/IS))。

二、测试意义

了解集成电路的内部结构对测试有意义么?

1、了解内部结构，才能更好的理解测试原理或者设计测试方案2、可以学习提升对电路结构的理解能力。

针对LM317，了解了内部简单原理，可以知道1、内部结构设计针对的是温度系数，因此可能受温度的影响，实际也是会受到温度的影响，正常情况受温度影响很小。

2、IADJ设计是50uA，随着集成电路技术的优化，该电流已经逐步小于50uA，但是旧有的设计中，