存储器概述

一、存储系统基本概念

1、相联存储器是按内容指定方式和地址指定方式相结合

2、计算机的存储器采用分级方式是为了解决容量、速度、价格者之间的矛盾

3、计算机的存储系统包括CPU内部寄存器、Cache、主存和外存

4、Cache中的内容只是主存内容的部分副本（拷贝），因而“Cache-主存”结构并未增加主存容量，目的是解决主存与CPU速度不匹配的问题

5、主存和辅存之间的数据调动是由硬件和操作系统共同完成的，仅对应用程序员透明。CPU与主存可直接交换信息。多级存储系统是为了降低存储成本

二、主存储器的基本组成

三、SRAM和DRAM对比

四、只读存储器ROM

五、双端口RAM和多模块存储器

1、地址线只与RAM的存储单元个数有关，而与存储单元的字长无关

2、DRAM的刷新按行进行

3、集中刷新必然存在四十九，采用分散刷新时，机器的存取周期中的一段用来读/写，另一段用来刷新，因此不存在死时间，但存取周期变长。异步刷新虽然缩短了死时间，但死时间依然存在。

4、RAM属于易失性半导体，SRAM和DRAM的区别在于是否需要动态刷新，DRAM采用地址复用技术，而SRAM不采用

5、Cache由SRAM组成，掉电后信息即消失，属于易失性存储器

6、U盘采用Flash存储器技术，它是在E^2PROM的基础上发展起来的，属于ROM的一种，由于擦写速度饿性价比均可观，因此常做辅存。

7、随机存取与随机存取存储器（RAM)不同，只读存储器（ROM）也是随机存取的，因此，支持随机存取的存储器不一定是RAM

8、因为计算机的操作系统保存于硬盘上，所以需要BIOS的引导程序将操作系统引导到主存（RAM）中，而引导程序则固化于ROM中

9、EPROM可多次改写，但改写较为繁琐，写入时间过长，且改写的次数有限，速度较慢，因此不能作为需要频繁读写的RAM使用

10、动态半导体存储器利用电容存储电荷的特性记录信息，由于电容会放电，必须在电荷流失前对电容充电，即刷新。方法是每隔一定的时间，根据原存内容重新写入一遍。这里的读写并不是信息读入CPU，也不是从CPU向主存存入信息，它只是把信息读出，通过一个刷新放大器后又重新存回存储单元，而刷新放大器是集成在RAM上的。因此，这里只进行了一次的访存，也就是占有一个存取周期

11、闪存是E^2PROM的进一步发展，可读可写，用MOS管的浮栅有电荷来存储信息。闪存依然是ROM的一种，写入时必须先擦除原有的数据，因此写速度比读速度要慢不少，闪存是一种非易失性存储器，它采用随机访问方式，现在常见的SSD固态硬盘，它由Flash芯片组成

12、高位交叉存储器在单个存储器中的字是连续存放的，不满足程序局部性原理，而低位交叉存储器是交叉存放，很好满足了程序的局部性原理。高位四体交叉存储器虽然不能满足程序的连续存取，但仍可能一次连续读出彼此地址相差一个存储体容量的四个字，只是读的概率很小。双端口存储器具有两套独立读。写口，具有各自的地址寄存器和译码电路，所以可以同时访问同一区间，同一单元，当两个端口同时对相同的单元进行读操作时，则不会发生冲突。

六、主存储器与CPU连接

1、主存容量扩展