SBD（Schottky Barrier Diode）与JBS（Junction Barrier Schottky）

SBD和JBS二极管都是功率二极管，具有单向导电性，在电路中主要用于整流、箝位、续流等应用。两者的主要区别在于结构和性能。

结构

SBD是肖特基二极管的简称，其结构由一个金属和一个半导体形成的金属-半导体结构成。

JBS是结势垒肖特基二极管的简称，其结构是在SBD的基础上，在肖特基势垒下方加入了均匀间隔的p+阱。

性能

SBD具有低正向压降、高开关速度等优点，但反向漏电流较大，可靠性较差。JBS在SBD的基础上，通过加入p+阱，有效降低了反向漏电流，提高了可靠性。

应用

SBD主要用于低压、低功率的应用场合，如DC-DC转换器、逆变器等。JBS主要用于高压、大功率的应用场合，如电动汽车、光伏发电等。

图 1 显示了 JBS 整流器的横截面和用于进行此分析的几何参数。在这里，“s”被定义为 P+ 扩散窗口的宽度，“rn”是相邻 P+ 扩散窗口之间的间隔。

在这种结构中，在传统的肖特基势垒二极管下集成了一个 p-n 结栅。结栅的设计使得结空耗层在正向偏置条件下不会夹断电流。此外，结栅间距使得这些空耗层在反向偏置超过几伏时（称为截止电压）会在肖特基金属下方相交。一旦发生这种情况，在肖特基势垒下会形成一个势垒，该势垒支持反向偏置的任何进一步增加，并将肖特基势垒屏蔽至雪崩击穿。这防止了肖特基势垒随着反向偏置的增加而降低，并消除在传统 SBD 中观察到的软击穿特性。