• E2类 MCR-WPT系统的搭建


    理论准备

      MCR-WPT 系统结构

    MCR-WPT 系统结构如上图,直流电源经过高效逆变器,通过一次侧谐振线圈将能量传输到二次侧线圈,再经过高效整流器到直流负载,其中通过谐振回路的采集信息反馈到逆变器,控制逆变器中的开关管来控制谐振回路达到最优实现。

    首先以一个WPT SS系统为模型进行分析

    由耦合模理论可以推出上式,w0= 1/L1C1为谐振回路的谐振频率; g1 = g10-r10为发射端的增益率,g10= Us/(π√(2L1))为增益电路的增益率,r10= R1/(2L1)为发射线圈的固有损耗率; r2= r20+ rR为接收端的损耗率,r20 = R2/(2L2)为接收线圈的固有损耗率,rR = Rr/(2L2)为损耗电路等效负载的损耗率。

    当处于过耦合状态下(即第一个式子开根有解),系统会分裂为两个工作频率 ,此时损耗和增益相等(即二式)。当系统处于欠耦合状态下,系统工作在谐振频率,此时增益小于损耗,造成能量损失。

    我们接着可以写出负载功率和系统效率

     从上面可以看出,系统工作在过耦合状态下时,谐振回路的输出功率、系统效率与k无关,即可实现变耦合系数下的恒功率、恒效率输出。且因为r10、r20远小于rR,故系统效率接近于1。

     在这里我将搭建一个E类功率放大器和E类整流器的(E2)MCR-WPT系统。

     上图是E类功率放大器的控制电路,采集谐振回路上的电流通过差分放大电路,再通过一个RC移相电路和比较器进行一个零相角的控制。

    我们可以推得E类功率放大器开关管电压在周期末的斜率,为实现软开关,我们需要其小于0,即tanθ>2/π。此处θ为E类功率放大器的输出电流的相交,其与E类功放的负载有关,故继续分析其负载。

     当等效模型如上图,我们可以推出下式

    θeq与耦合系数有关,可作出下图

    可以看到k=0.3时,θeq=θopt,此时E类功率放大器工作在软开关最优实现条件下,当k<0.25时,频率分裂的的两个频率θeq均大于θopt,也工作在软开关次最优条件下。 结合上文分析,k取值最优条件为  √(L1C1)*(R2+RL)/C2

    参数设计

    上图为需要设计的主电路。现在设计目标为输出功率40W、负载为25Ω、工作频率为200KHz,kopt设计为0.3。

    E类整流器:

     

     其中rDr为整流二级管的导通电阻,最后我们可以推出E类整流器及其负载的等效阻抗,如下式。

     

     谐振回路:

     E类功率放大器:

     E类功率放大电路等效模型

      

     Rzin=Rc=31.56Ω,Pzin=42W(比设计目标稍微大些,因为后面有ESR消耗)。由以上式子我们可以求得E类功率放大器相关参数

     模型整体图:

    此处控制电路为简便模拟为一个RC移相电路和一个比较器。实际仿真图如下:

     仿真结果

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