硬件基础 - MOS管

可应用于放大，由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器
很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换，常用于多级放大器的输入级作阻抗变换
可以用作可变电阻 可以方便地用作恒流源
可以用作电子开关
在电路设计上的灵活性大，栅偏压可正可负可零，三极管只能在正向偏置下工作，电子管只能在负偏压下工作；另外输入阻抗高，可以减轻信号源负载，易于跟前级匹配

• NMOS

mos管的三个极分别是：G（栅极），D（漏极）s（源极）
要求栅极和源极之间电压大于某一特定值，漏极和源及才能导通

波形会出现毛刺，如果阈值电压为2V，会出现毛刺导通的情况。

阈值2V的优点：
集成电路内部干扰小。
电压低，频率高。
注意点：
GS幅值超过平台电压才能导通

MOS-FET的GS之间需要有电阻几k~几百k不等
MOS-FET的GS超过平台电压后，DS之间无论有没有通路形成，则DS之间的压降接近0V（ID为通路）。
MOS-FET是压控压型的。
低压大电流MOS-FET的ID电流大，则GS电容偏大，开关速度相对高压偏慢。
低压大电流MOS-FET的RDSon比较小。（Rdson就是这指MOS管里面的导通内阻）
高压小电流MOS-FET的ID电流大，则GS电容偏大，开关速度相对低压偏慢。
高压小电流MOS-FET的RDSon比较大。（当MOS开通时，D和S（漏极和源极）之间的电阻）
高压小电流MOS-FET的，栅极电阻一般取值在100R到500R，330R用的比较多。
低压大电流MOS-FET的栅极电阻一般取值在10R~100R之间。
MOS-FET的平台宽度一般在100ns~500ns之间。 低于100nS平台会发生震荡，发热比较严重。高于500nS，平台很宽，开关损耗比较大。
高压小电流MOS-FET，GS的波形在开通的时候容易震荡。
低压大电流MOS-FET，GS波形在关断时容易震荡。

• 开关管

电容前面应加电阻，若电容未充电前，电流特别大，就相当于短路。
电容两端的电压无法畸变。

三极管用作开关管，C极输出逻辑是反的，E极输出逻辑是正的