• 数电学习(十、脉冲波形的产生和整形)(一)



    引言

    • 纯数字的内容基本已经结束

    • 但是还有一件事没有解决,在数字电路当中,我们认为方波到处都存在,但是实际上波形发生是要我们自己做的

    • 把第三章(门电路)和电路原理(等效,过渡过程)结合在一起

    • 在数字信号中,门电路是处理信号的,信号是用离散的电压序列来表达,所以,每一个门电路的输出其实都是一个电压源;每一个门电路的输入,如果是CMOS型的,输入不取电流,电压信号传递,输入等效一个小电容;如果是TTL的,输入是有一个管,输入是低电平上面来一个大电流,输入时高电平,趴着的PN管,PN结反向。

    • 任务:产生理想的波形

    • !!!!注意:这章讲的触发器是真触发(trigger),不是前面说的存储那些(flip flop翻转)

    概述

    • 对于脉冲波形,我们关注它的发生和整形
    1. 获取脉冲的方法
      (1)脉冲波形发生电路
      (2)脉冲波形整形电路
    • 对于一个脉冲波形,主要关注三条:周期,占空比,斜率
    1. 描述矩阵脉冲特性主要参数
      在这里插入图片描述

    施密特触发器(常用的一类脉冲整形电路)

    用门电路组成的施密特触发器

    Voh=Vdd,Vol=0,Vth=1/2Vdd,且R1 在这里插入图片描述

    • 想知道输入输出之间的关系(电压转移特性曲线)
    • 0-1的过程分析如下:
      (1) Vi = 0时,Vo = 0(如果说的是逻辑0,Vo也是逻辑0,但是如果看具体的电压值,如果有差,就会形成电流,Va就是一个分压,但是一定是在逻辑0,不会超过逻辑0)
      在这里插入图片描述

    (2)当Vi增大时,Va也上升,上升的值是(Vi-Vo)在Va的分压,当Va上升至1/2Vdd时(也就是上面每一个反相器的电压传输特性曲线的横轴中点),Va再上升,Vo1就下降,Vo就上升,导致Va也上升。这是一个正反馈,这个正反馈会把Vo推高,最后变到理想的高电平
    在这里插入图片描述
    (3)Va的变化一开始是因为Vi的变化,而Vi在变化时,Vo还没有改变,所以时(Vi-Vo)的分压,这个值倒算回来,也就是Vi在变化当中让Va变成Vth,所以可以倒推出来Vi的值
    在这里插入图片描述

    • 1-0的过程分析如下:
      (1)当Vi = 1时,Vo = 1
      (2)当Vi下降至Va = Vth时,进入传输特性曲线的放大区,使电路迅速跳变至Vo=Vol
      在这里插入图片描述
      (3)在整个变化过程Va就是Vdd-Vi,后面加Vi是因为算出来分压还要加上基准的Vi
      在这里插入图片描述

    • 得到传输特性曲线
      在这里插入图片描述

    • 问题:为什么R2要大于R1?

    • 如果R1>R2,如果Vi是低电平,Vo也是低电平,这没有问题,但是当Vi上升时,即便Vi已经上升到最理想的电压Vdd,Va也不可能到达门电路的门槛电压(1/2Vdd),也就是不可能发生翻转,也就不存在上面推导的公式。

    • 换句话说,R2如果小的话,电路就被锁死了,锁死了就相当于前面讲的锁存器

    • 特点:
      (1)V+和V-两个门槛电压值不一样
      (2)两个变化过程都是正反馈,也就是说边沿会特别抖

    在这里插入图片描述

    • 如果一个器件有这样的标识,那么证明它的Vi和Vo之间有前面所论述的滞环特性
    • 但是从逻辑关系来讲,这个符号应该是一个正向的缓冲,Vo和Vi的逻辑关系不变。也就是说如果换成第三章的其他运算,它只表示V+和V-不一样,而且边沿特性特别好,但是并不影响电路的逻辑功能

    集成施密特触发器

    TTL工艺

    电路结构和工作原理
    • 不是搭接而成,而是通过之前讲过的TTL工艺或者CMOS工艺制造的集成的施密特触发器

    • 我们拿到的集成施密特触发器都是成熟的设计,目标都是为了能满足能够达到那个滞环特性,所以我们围绕这个去分析(R1=2k欧,R2=1.4k欧,Re=480欧)
      在这里插入图片描述

    • Ve的电压值其实会和T1和T2的导通关系相关

    • 在数字电路中,如果我们好奇输入输出关系,可以做这样的假设。当输入是逻辑低电平,即Vi=0时,那么T1截止,如果参数合理,T2可以饱和导通,这时Ve的电压就是R2和Re的一个分压

    • 当输入时逻辑高电平的时候,T1饱和导通,Vc1就等于Ve加上T1的饱和导通电压值,这样一来T2就截止了,所以Ve就变成了Re和R1之间的分压

    • 也就是说,当输入为高低电平的时候,Ve的值不同。所以需要关心两件事:
      (1)如果输入是高电平,当我的高电平往低电平变化的过程中,最后的目标一定是变到输入为0,但是中间的过程我会关心,输入变到多少能使电路状态发生变化
      (2)如果输入是低电平,当我的低电平往高电平变化的过程中,哪个值会让它发生变化

    • 问题:当输入从0升高时,什么时候电路的输出会发生变化?

    • 输入增高一开始不会发生变化,一直增长到Ve+0.7的时候,输出就会发生变化,下面这一串就会产生。
      在这里插入图片描述

    • (因为电阻参数不同,ic2下降的会比ic1上升的快,所以Ve下降)

    • 正反馈,会迅速引起T1导通,T2截止,Vc2输出高电平

    • 问题:当输入从1降低时,什么时候电路的输出会发生变化?

    • 要低到Ve+0.7
      在这里插入图片描述

    • 迅速转为T1截止T2导通,Vc2输出低电平

    • 问题:输入为高电平和低电平时VT+和VT-为什么不一样?

    • 因为+和-时Ve不同,虽然都是Ve+0.7
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    • 低电平没有前面电路那么低

    器件实例

    在这里插入图片描述

    • 输出电路是一个推拉式的输出,想实现T4,T5导通输出低电平,T6导通输出高电平
    • 再看电平偏移部分,当这部分给T4的输出至少是1.4V时,T4和T5才导通,输出低电平。T3的输出必须是高于2.8V(二极管的导通电压也是0.7V,四个PN结),才能让后面输出低电平,如果低于2.8V,T3,T4,T5都截止,输出高电平。所以这个电路就是把推拉输出的电平平移到了2.8V,起到了一个电平平移的作用
    • 前面的二极管与门电路:下面四个二极管是保护电路,作用是输入电平比较低的时候保护,D1到D4就是一个与阵列
    • 图形符号:
      在这里插入图片描述
    • 前面四个与是与阵列,取反是因为施密特出高电平,后面才输出0
    • 四输出的与非门(只不过边沿特性比较好)
    • 传输特性
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    CMOS IC

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    • 找出上升下降使得电路发生变化的们看电压

    施密特触发器的特点

    1. 输入信号在上升和下降过程中,电路状态转换的输入电平不同
    2. 电路状态转换时有正反馈过程,使输出波形边沿变抖

    施密特触发器的应用

    1. 用于波形变换
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    2. 用于脉冲整形
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    3. 用于鉴幅
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    • 如果 要关心脉冲的宽度,可以把这个接到161(16进制计数器)上,用时钟源,把取反之后的i信号接到EP,ET上

    单稳态触发器

    场景举例:楼道灯,洗手

    特点

    1. 有一个稳态和一个暂稳态
    2. 在外界触发信号作用下,能从稳态->暂稳态,维持一段时间后自动返回稳态
    3. !!!暂稳态维持的时间长短取决于电路的内部参数

    用门电路组成的单稳态触发器

    • 这章从这里开始把电容引进来,特点是要关注过渡过程

    积分型

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    • TTL的门
    • 问题:R不能太大,为什么?
    • TTL电路有一个输入负载特性,也就是如果R太大的话,前面的低电平传不过来
    • 工作过程分析:
      (1)稳态下:Vi = 0,Vo = 1,(Vo1 = Voh),Va = Voh(如果是稳态,Vi是0,Va也应该是高电平)
      (2)Vi上升后Vo=0,进入暂稳态,Vo1=0,C开始放电
      (3)当放至Va = Vth后,Vo=1,返回稳态
      (4)Vi下降后,C重新充电至Voh,恢复初始态
    性能参数

    在这里插入图片描述

    • 画波形是这章分析电路的关键
    • 拿到这个波形图,如果这是楼道里的灯,我第一个就把这个方案毙掉。因为触发不是一个边沿,是一个时间段,但是这个电路特别适合洗手池
    输出脉宽

    在这里插入图片描述

    • 求脉冲宽度就应该跟据上面的公式,关心开始,终了还有时间常数

    • 现在只需要直到时间常数就可以反推出t,公式如下
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    • 现在需要把电路打开了
      在这里插入图片描述

    • 所有的门电路的输出都当作一个有内阻的电压源

    • G2虽然画下来了,但是我关心的是Va的放电过程,那边没有放电回路,所以不用管它。等效成右边的电路就直到公式的R,C是多少

    • 电容的过度过程一般需要3-5个时间常数就达到稳态
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    • 这个不需要精确计算,我就知道放完一次电之后,我经过多长时间就准备好为下一次充电了,这时候我要关心的值就是这次触发到下一次触发的间隔,所以最关键的还是Tw,是在暂稳态期间呆的时间

    微分型

    • 对前面的电路进行改进,目的是我不希望触发脉冲那么宽,希望找到一个适合楼道灯控制的这种类型的电路

    • 工艺改用了CMOS工艺的门,Voh=Vdd,Vol = 0,Vth = 1/2Vdd
      在这里插入图片描述

    • 从电路图上,给出了两套RC。但是只有一套是和暂稳态相关的,是后面那套。

    • 前面的电路是一个输入取微分电路

    • 分析工作过程:
      (1)稳态下:Vi = 0,Vd = 0,Vi2 = Vdd,Vo = 0,(Vo1 = Vdd),C上无电压
      (2)Vi跳变到高电平,Vd跳变到高电平,Vo1跳变成低电平,Vi2跳变成低电平,Vo跳变成高电平,这时,就算Vi消失(消失后,Vd的电压会随着Cd放电变小),Vo的反馈也会保持暂稳态
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      (3)进入暂稳态之后,Vdd开始给C充电。开始充电后,Vi2的电压就会上升,直到Vth时,G2输出变成1了,反馈回G2,G1输出就变成1了,这时就会直接把Vi2拉高(基本回拉到Vth+Vdd,也就是3/2Vdd,能跳的原因就是电容两端的压差不突变),回到稳态
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    • 问题:但是从上图看,Vi2不会到3/2Vdd,为什么?

    • 实际上,它是会跳到3/2Vdd的。但是因为用了CMOS工艺,输入上下端都有二极管保护(输入电平不能太高,不能高过Vdd+0.7,也不能太低,不能低过-0.7,因为一旦超过这个范围就会导通),所以,Vi2跳变的图应该这么画
      在这里插入图片描述

    • 这章,为了简化,不考虑这个变化,还是看上面的电平图,跳到Vdd+0.7

    • 有了以上的分析,那么可以得出一个结论,输入的触发脉冲的宽度对输出的暂稳态不再有影响

    • 刚刚的积分型电路,RC起的是积分的作用,缓慢放电。而这个电路的RC起的是微分的作用,进入暂稳态,直接耦合

    性能参数计算 输出脉宽

    在这里插入图片描述

    • 公式中唯一不确定的就是R,这时候打开电路
      在这里插入图片描述
    • 可以求得
      在这里插入图片描述

    集成的单稳态触发器

    在这里插入图片描述

    • 没有新的东西,就是把前面的单稳态触发电路当成一个核心,通过前面的门电路加了一个触发器
    • 由于是集成的,提供了外接的RC
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    • 所以这时的计算就只能用RCln2
      在这里插入图片描述
    • !!!引入一个概念,可重复触发
    • 以灯为例,我跺脚让它亮,我感觉要灭的时候,我再跺脚,这时这个灯不会灭,而是会以我跺的第二脚作为暂稳态的时间起点
    • !!前面那两个电路进入暂稳态之后就屏蔽掉前面的触发信号了。而可重复出发指的是,进入暂稳态后,可以接着相应外部的触发信号,而且以最后一次触发的时间点,作为我暂稳态时间的起始点。
    • !!目前讲到的都不可以,因为积分型和微分型都是以电容上的过渡过程作为衡量器。而可重复触发指的是要随时随刻恢复到起始状态。
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