双壳层膦酰基修饰二氧化硅磁性微球/氮氧自由基接枝/表面KH-550改性二氧化硅微球的研究

小编今天给大家分享的内容是双壳层膦酰基修饰二氧化硅磁性微球/氮氧自由基接枝/表面KH-550改性二氧化硅微球的制备与研究，来看！

双壳层膦酰基修饰二氧化硅磁性微球研究：

该磁性微球内壳层为致密的二氧化硅层,用于包覆内核磁性物质四氧化三铁,避免使用过程中四氧化三铁溶出；外壳层为具有发达有序介孔结构的膦酰基修饰二氧化硅层,便于铀进入孔道内吸附。该磁性微球的制备步骤包括:先在磁性Fe₃O₄纳米粒子表面先包履致密的二氧化硅层,再进一步包履多孔磷酰基功能化二氧化硅层,最后经回流萃取脱去模板剂(P123),得到双壳层膦酰基修饰磁性二氧化硅磁性微球。

其特征为：该磁性微球易于磁分离，其内壳层为致密的二氧化硅层，用于包覆内核磁性物质四氧化三铁，避免吸附过程中四氧化三铁氧化或溶出；外壳层为具有发达有序介孔结构的膦酰基修饰二氧化硅层，便于铀进入孔道内吸附，同时通过膦酰基修饰可以明显提高二氧化硅磁性微球对铀的吸附容量和吸附选择性。

氮氧自由基接枝二氧化硅微球的研究：

采用自制的氮氧自由基改性三乙氧基硅烷,与纳米二氧化硅(SiO2)在无水条件下进行缩合反应制得表面接枝氮氧自由基的SiO2.采用热重分析研究了不同反应时间,反应温度以及IPTS—TEMPO用量对SiO2表面接枝率的影响,并利用透射电镜对SiO2表面接枝结果进行了表征.结果表明,当反应温度110℃,反应时间24h,IPTS—TEMPO质量分数为50%时,纳米SiO2的表面接枝率较高.改性后的SiO2无粒子团聚现象.

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瑞禧YWX.2022.9.29