参数:
1. 封装,
LFPAK, (LFPAK33,ID=70A左右)

2. 尺寸
3. 耐压值,BVDSS 40V以上
4. VTH, 阈值电压, Vplateau 米勒平台电压
5. ID,负载电流
6. Rdson 内阻,RDSON和导通损耗直接相关。RDSON越小,功率MOSFET的导通损耗越小;效率越高、温升越低。
7. 开关特性,Crss(米勒电容),Coss,Ciss;Qg, Qgd, Qoss
Qg越大,IC驱动损耗越大
参考:

| 封装 / 箱体: | SO-8FL | |
| 晶体管极性: | N-Channel | |
| 通道数量: | 1 Channel | |
| Vds-漏源极击穿电压: | 40 V | |
| Id-连续漏极电流: | 330 A | |
| Rds On-漏源导通电阻: | 650 uOhms | |
| Vgs - 栅极-源极电压: | - 20 V, + 20 V | |
| Vgs th-栅源极阈值电压: | 2 V | |
| Qg-栅极电荷: | 143 nC | |
| 最小工作温度: | - 55 C | |
| 最大工作温度: | + 175 C | |
| Pd-功率耗散: | 167 W | |
| 资格: | AEC-Q101 | |
| 商标: | onsemi | |
| 下降时间: | 177 ns | |
| 上升时间: | 130 ns | |
| 典型关闭延迟时间: | 66 ns | |
| 典型接通延迟时间: | 20 ns |
常用品牌 英飞凌, Onsemi,
国产品牌 JJM