二硫化钨/二硒化钨纳米复合材料|WSe2二硒化钨负载掺氮三维石墨烯|氮掺杂二氧化钛负载二硒化钨|二硒化钨薄片/氧化铟纳米线复合材料

二硫化钨/二硒化钨纳米复合材料|WSe2二硒化钨负载掺氮三维石墨烯|氮掺杂二氧化钛负载二硒化钨|二硒化钨薄片/氧化铟纳米线复合材料

二硫化钨/二硒化钨纳米复合材料

二维过渡金属硫族化合物(2D-TMDCs)具有独特的层状结构,可调的直接带隙、较好的柔韧性和高透光性等,在固体纳米器件、光电子器件、可穿戴设备、传感及功能薄膜等领域前景广阔。然而,如何高效的制备高品质大面积的2D-TMDCs材料一直制约着该领域的研究进程。采用化学气相沉积法(CVD)通过调整系列实验参数能实现目标材料的尺寸、层数的可控生长,最具产业化潜力。因此,进一步深入探究CVD可控制备高品质、大尺度单层的2D-TMDCs材料具有非常高的科研和实用价值。

二硫化钨是带隙约为1.6eV的间接半导体。在单层状态下，带隙变为尺寸为2.1eV的直接带隙，因此显示出强光致发光。 WS2由于其高电子迁移率而应用于电子产品中

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以上资料来自小编axc,2022.08.22