| 工业级芯片可靠性试验项目&条件 | |||||||
| 类别 Type | 测试项目 Test Item | 目的 Purpose | 参考标准 REF.Standard | 测试条件 Test Condition | 持续时间 Duration | 失效机制 Invalidation Mechanism | 备注 Remarks |
| 环 境 试 验 | 高温储存 High Temperature Storage | 评估IC产品在实际使用之前在高温条 件下保持几年不工作条件下的生命时 间 | JESD22-A103 EIAJED-4701-200 | Ta=85℃±5℃ | 1000Hrs | 化学和扩散效应，Au‐Al 共金效应 | |
| 低温储存 Low Temperature Storage | 评估IC产品在实际使用之前在低温条 件下保持几年不工作条件下的生命时 间 | JESD22-A119 EIAJED-4701-200 | Ta=-40℃±5℃ | 1000Hrs | 材料变脆，产品表面发生开裂、韧性 下降 | ||
| 温度循环 Temperature Cycle | 评估IC产品中具有不同热膨胀系数的 金属之间的界面的接触良率 | JESD22-A104 EIAJED-4701-100 | -40℃～85℃ | 200cycles | 电介质的断裂、导体和绝缘体的断裂 、不同界面的分层 | ||
| 冷热冲击 Thermal Shock | 评估IC产品中具有不同热膨胀系数的 金属之间的界面的接触良率 | JESD22-A106 EIAJED-4701B-141 | ’-40℃～85℃ 30min～30min | 100cycles | 电介质的断裂、材料的老化（如bond wires）导体机械变形 | ||
| 湿热循环 Damp Heat Cycle | 评估IC产品在湿热变化环境下的耐久 性 | JESD22-A100 | ‘-40℃～85℃，RH=85% | 10cycle | 封装外壳膨胀、开裂，产品电特性改 变 | ||
| 高压蒸煮试验 Pressure Cook Test | 评估IC产品在高温、高湿、高气压条 件下对湿气的抵抗能力 | JESD22-A102 EIAJED-4701B-123 | Ta=85℃、RH=85%、2atm | 168Hrs | 化学金属腐蚀，封装密封性 | ||
| 寿 命 试 验 | 早夭测试（早期寿命测试） Infant Mortality Test | 评估工艺的稳定性，加速缺陷失效 率，去除由于天生原因失效的产品 | JESD74A | Ta=85℃、1.1Vcc | 48Hrs | 材料或工艺的缺陷。包括诸如氧化层 缺陷、金属刻镀、离子玷污等由于生 产造成的失效 | |
| 高温工作寿命 High Temperature Operating Life | 评估器件在超热和超电压情况下一段 时间的耐久力 | JESD22-A108 EIAJED-4701-101 | Ta=85℃、1.1Vcc | 1000Hrs | 电子迁移，氧化层破裂，相互扩散， 不稳定性，离子玷污等 | ||
| 高温高湿寿命测试 High humidity Heat life test | 评估IC产品在高温、高湿条件下对湿 气的抵抗能力 | JESD22-A101 | Ta=85℃、RH=85%、If | 1000Hrs | 电解腐蚀 | ||
| 机 械 试 验 | 恒定加速度试验 Constant Acceleration Test | 评估IC产品承受恒定加速的能力 | GJB548B-2005 2001 | X1、X2、Y1、Y2、Z1、Z2方向各 施加1min的恒定加速度，a=5000g ～125000g（常规30000g） | 6min | 结构强度和机械缺陷（芯片脱落、内 引线开路、管壳变形、漏气等） | X：IC芯片脱出方向；Y：芯片压紧方 向；Z：与XY平面垂直的方向 |
| 机械冲击试验 Mechanical Impact Test | 评估IC产品承受机械冲击的能力 | GJB548B-2005 2002 | X1、X2、Y1、Y2、Z1、Z2方向分 别施加半正弦波冲击脉冲，脉冲 持续时间：0.1ms～1ms，a=500g ～30000g(常规：0.5ms，1500g) | 5cycles of each X1、X2、Y1、 Y2、Z1、Z2 | 跌落、碰撞等突发机械应力所致芯片 脱落、内引线开路、管壳变形、漏气 等 | ||
| 机械振动试验（扫频振动） Mechanical Vibration Test | 评估IC产品在振动条件下的结构牢固 性和电特性的稳定性 | GJB548B-2005 2007 | 峰值加速度a=20g，f=20Hz～ 2000Hz～20Hz（单次单轴向大约 4min） | 4cycles of each X、Y、Z，共 48min | 结构强度和机械缺陷（芯片脱落、内 引线开路、管壳变形、漏气等） | 破坏性试验 | |
| 粒子碰撞噪声检测试验 Particle Impact Noise Detection | 检测IC产品封装腔体内是否存在可动 多余物 | GJB548B-2005 2020 | 冲击脉冲：峰值加速度(9800± | 1、试验前冲击3次 | 内部短路、异常噪声 | ||
| 2、振动3s±1s | |||||||
| 1960)m/s2、延续时间不超过 | 3、与上条振动同时进行3次冲击 | ||||||
| 100us | 4、振动3s±1s 5、与上条振动同时进行3次冲击 | ||||||
| 振动波形：频率为40Hz～250Hz、 | 6、振动3s±1s | ||||||
| 峰值加速度为196m/s2 | 7、与上条振动同时进行3次冲击 | ||||||
| 8、振动3s±1s | |||||||