【Autosar 存储栈Memery Stack 4.Tc397的Flash编程】

首先我们要了解Autosar的存储模块介质主要是两种：EEPROM和Flash仿EEPROM,分为片内与片外存储，因此就有2*2=4种存储方式：
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• 主芯片片内FLASH仿EEPROM
• 主芯片片内EEPROM
• 板载片外FLASH仿EEPROM
• 板载片外EEPROM

前面讲了EEPROM和FLASH最大的不同就是EEPROM可以操作的最小单位是字节，也就是可以直接擦除编程一个字节。FLASH的最小擦除单元是扇区，最小编程单元是page页，TC397芯片的DFLASH的逻辑扇区就有4K大小，page页大小是8字节。

当前我们AUTOSAR项目用到的主要是英飞凌TC397芯片，所以接下来我们介绍下Tc397的硬件Flash相关知识。

• TC397芯片存储分为PFLASH（Program Flash Memory）和DFLASH（Data Flash memory）。
• TC397有5个3MB大小PFx（PF0…PF4）和一个1MB大小的PF5。每个PFx被划分为1024KB大小的物理扇区，每个物理扇区又被划分为16KB大小的逻辑扇区（Logical Sector）。
• TC397有两个数据闪存存储区DFLASH0和DFLASH1，就是用这个DFLASH来模拟eeprom，来作为autosar的存储服务使用的。DFLASH0还包含了用于数据保护的用户配置块（UCBs，User Configuration Blocks）和1个配置扇区（CFS），用户无法直接访问该配置扇区。
• DFLASH逻辑扇区可以配置4KB或者2KB，DFLASH的页有8字节组成，也就是DFLASH最小擦除单元为4/2K，最小编程单元为8字节。
• PFLASH逻辑扇区16KB，PFLASH的页有32字节组成，也就是PFLASH最小擦除单元为16K，最小编程单元为32字节。