• 相机图像质量研究(25)常见问题总结:CMOS期间对成像的影响--过曝、欠曝


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    前言

    一、过曝和欠曝产生的原因

    二、过曝欠曝优化的方法


    前言

            只要是图像传感器,就会收到半导体势阱容量的限制,无法累计过多的电荷,而实际场景的光线强度大到使半导体累计电荷达到上限时,就会产生过曝。。


    一、过曝和欠曝产生的原因

           简单来说主要原因是拍摄场景的动态范围大于CMOS的动态范围。详细来讲,过曝就是半导体累计的电荷容量达到上限,导致接收不同光线强度的传感器像素点输出的电荷相同,从而无法还原真实场景物体亮度。欠曝就是半导体累计电荷太少,导致接收不同光线强度的传感器像素点输出的电荷接近,从而难以区分物体亮度差异。

            

    二、过曝欠曝优化的方法

           从直接原因来讲是传感器的动态范围太小,因此最直接解决办法:替换动态范围更大的sensor,打开宽动态。


     总结

    本节讲了过曝欠曝产生的原因,现象和减弱方法。

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