• 基于Cortex®-M4F的TM4C123GH6NMRT7R 32位MCU,LM74900QRGERQ1、LM74930QRGERQ1汽车类理想二极管


    一、TM4C123GH6NMRT7R IC MCU 32BIT 256KB FLASH 157BGA

    Tiva™C系列微控制器为设计人员提供了基于ARM®Cortex™-M的高性能架构,该架构具有广泛的集成功能以及强大的软件和开发工具生态系统。以性能和灵活性为目标,Tiva™C系列架构提供了一个具有FPU的80 MHz Cortex-M、各种集成存储器和多个可编程GPIO。Tiva™C系列器件通过集成专用外设和提供全面的软件工具库,最大限度地降低电路板成本和设计周期时间,为消费者提供极具吸引力的高性价比解决方案。凭借更快的上市时间和成本节约,Tiva™C系列微控制器是高性能32位应用的首选。

    Tiva™C系列ARM Cortex-M4微控制器提供顶级性能和高级集成。该产品系列定位于需要大量控制处理和连接功能的低成本应用,例如:
    • 低功耗,手持智能设备
    • 游戏设备
    • 家用和商用现场监测和控制
    • 运动控制
    • 医疗仪器
    • 测试和测量设备
    • 工厂自动化
    • 消防和安保
    • 智能能源/智能电网解决方案
    • 智能照明控制
    • 交通运输

    器件:TM4C123GH6NMRT7R
    产品种类 :ARM微控制器 - MCU
    系列 :TM4C123GH6NMR
    安装风格 :SMD/SMT
    封装 / 箱体 :NFBGA-157
    核心 :ARM Cortex M4F
    程序存储器大小 :256 kB
    数据总线宽度 :32 bit
    ADC分辨率 :12 bit
    最大时钟频率 :80 MHz
    输入/输出端数量 :120 I/O
    数据 RAM 大小 :32 kB
    电源电压-最小 :3.15 V
    电源电压-最大 :3.63 V
    最小工作温度 :- 40°C
    最大工作温度 :+ 85°C
    数据 Ram 类型 :SRAM
    开发套件 :SW-TM4C
    接口类型 :CAN, I2C, SPI, UART
    湿度敏感性 :Yes
    工作电源电压 :3.3 V
    程序存储器类型 :Flash

    基于Cortex®-M4F的TM4C123GH6NMRT7R 32位MCU,LM74900QRGERQ1、LM74930QRGERQ1汽车类理想二极管 —— 明佳达

    二、LM74900-Q1 具有断路器、欠压和过压保护以及故障输出功能的汽车类理想二极管

    LM74900QRGERQ1理想二极管控制器可驱动和控制外部背对背N沟道MOSFET,模拟具有电源路径开/关控制和过流、过压保护功能的理想二极管整流器。3V至65V宽输入电源支持保护和控制12V和24V汽车电池供电ECU。该器件可承受和保护负载免受低至–65V负电源电压的影响。

    类型:N+1 ORing 控制器
    FET 类型:N 通道
    比率 - 输入:输出:1:1
    内部开关:是
    电流 - 输出(最大值):2.6A
    电流 - 供电:635 µA
    电压 - 供电:3V ~ 65V
    应用:汽车级,冗余电源
    工作温度:-40°C ~ 125°C(TA)
    安装类型:表面贴装,可润湿侧翼
    封装/外壳:24-VFQFN 裸露焊盘
    供应商器件封装:24-VQFN(4x4)

    典型应用
    •汽车电池保护
    –ADAS域控制器
    –信息娱乐和集群
    –汽车音响:外部放大器
    •用于冗余电源的有源ORing

    三、LM74930-Q1 具有断路器和过压保护功能的汽车类 3V 至 65V 浪涌抑制器

    LM74930QRGERQ1理想二极管控制器可驱动和控制外部背对背 N 沟道 MOSFET,从而模拟理想二极管整流器和电源路径开/关控制,并提供过流和过压保护功能。4 V至 65V 的宽输入电源电压可保护和控制 12V 和 24V 汽车类电池供电的 ECU。该器件可承受并保护负载免受低至 –65V 的负电源电压的影响。

    应用
    • 12V/24V 汽车反向电池保护
    • 工业运输
    • 冗余电源 ORing

    特点
    • 符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准
    – 器件温度等级 1:
    –40°C 至 +125°C 环境工作温度范围
    • 4V 至 65V 输入范围
    • 反向输入保护低至 –65V
    • 在共源极配置下,可驱动外部背对背 N 沟道MOSFET
    • 10.5mV 阳极至阴极正向压降调节下,理想二极管正常运行
    • 低反向检测阈值 (-10.5mV),具有快速 DGATE 关断响应 (0.5µs)
    • 18mA 峰值栅极 (DGATE) 导通电流
    • 2.6A 峰值 DGATE 关断电流
    • 可调过流和短路保护
    • 精度为 10% 的模拟电流监视器输出 (IMON)
    • 可调节过压和欠压保护
    • 2.5μA 低关断电流(EN = 低电平)
    • MODE 引脚可允许双向电流(MODE = 低电平)
    • 采用合适的 TVS 二极管,符合汽车 ISO7637 瞬态要求
    • 采用节省空间的 24 引脚 VQFN 封装

    注:本文部分内容与图片来源于网络,版权归原作者所有。如有侵权,请联系删除!

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  • 原文地址:https://blog.csdn.net/u014084826/article/details/134534013