为什么是SiNx?
而Si3N4是一种晶态材料,这意味着它的硅和氮的比例是固定的。当x的值等于4/3时,SiNx等于Si3N4。但在实际应用中,SiNx往往是非定比的,其硅和氮的比例可以通过改变PVD或CVD过程的参数进行调控。
SiNx在芯片制造中的作用?
氮化硅的绝缘性能非常优秀,电阻率可以高达10^14 Ω·cm,远超过一些常见的绝缘材料,如氧化硅(SiO2)。而它的低介电常数又使得它在微波和射频应用中成为理想的隔离层。氮化硅层在芯片中也起到阻挡杂质扩散的作用。它可以阻止硼、磷等掺杂物通过扩散改变器件特性。此外,它还可以阻止金属离子等的扩散,以防止短路等故障。
氮化硅的热稳定性极佳,是由其特殊的化学性质和晶体结构决定的。它可以在高温环境下保持稳定,而不会像其他材料那样发生化学分解或者物理形状的变化。那是因为在氮化硅的晶体结构中,每一个硅原子都与四个氮原子以四面体的形式结合在一起,每一个氮原子也都与四个硅原子以四面体的形式结合在一起。这种结构使得氮化硅的晶体格极为稳定,不易发生形变。因此在制造高电子迁移率晶体管(HEMTs)时作为栅极绝缘层。
SiNx相对于SiO2的优势?