• 聊一聊关于手机Charge IC的电流流向

    关于手机Charge，小白在以前的文章很少讲，一是这部分东西太多，过于复杂。二是总感觉写起来欠缺点什么。但后来想一想，本是抱着互相学习来写文章的心理态度，还是决定尝试写一些。

    关于今天要讲的关于手机Charge的内容，主要想聊一聊，手机在不同情况下，手机Charge IC电流的路径。

    下图是某国产Switch Charge的硬件框图，此硬件框图在之前讲自举电容那块时，有见过类似的。
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    从图中，我们可以看到其含有四个开关管。分别为Q1(RBFET),Q2(HSFET),Q3(LSFET)以及Q4(BATFET)。关于Q2 Q3 Q4，分别为BUCK（Boost）的两个开关管以及控制电池和VSYS连通与断开的管子。Q1：Reverse Blocking MOSFET,百度翻译为反向阻断管，简单点来说就是防反管。主要目的是防止在不充电状态下，VBAT电压顺着Q4→电感→Q2进入VBUS端。同时其还具备检测输入电流的功能。

    关于Chrge IC电流路径，要清楚知道存在五种情况。
    (1).ISYSVSYSVBUS，即系统耗电小于手机充电，这个状态，应该是低功率充电(15W 10W)状态下最常见的情况了。此时，既充电器既能给系统供电，又能给电池充电。在不考虑损耗以及VBAT不外接其他负载的情况下，VBUSIBUS=VSYSISYS+VBAT*IBAT,这种状态被称为Charge Mode。
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    (2). ISYSVSYS>IBUSVBUS,即系统耗电大于充电供给，此时充电电流完全流入系统端，除此之外还会有电池给予系统供电，即充电电流与电池电流共同支撑系统耗电，在不考虑损耗以及VBAT不外接其他负载的情况下，ISYSVSYS=IBUSVBUS+IBAT*VBAT，这种状态被称为Supplyment Mode。
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    (3).IBUS=0,VBUS=0,此时系统所有耗电来自于电池，这也是我们日常使用手机遇到的最多的场景，即不插充电器使用手机。在不考虑损耗以及VBAT不外接其他负载的情况下，IBATVBAT=ISYSVSYS。这种状态被称为Supplement Mode。
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    (4).IBAT=0,VBAT为电池饱和状态下电压或者电池不在位。此时系统的耗电完全由充电器供给。充电进入截止状态，Q4管子断开。或者充电状态下，电池被拔开。在不考虑损耗以及VBAT不外接其他负载的情况下，IBUSVBUS=ISYSVSYS。这种状态称为Buck Mode。
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    (5).最后还一种，叫做OTG Mode。
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    电流流向如上图所示。此时Charge IC处于Boost状态，输出的电压通常在5.15V左右。电流往往有多个档位可自由选择。如果OTG所接负载抽电流大于Charge IC设置电流，通常Charge IC会进入保护状态，此时手机也会关机。

    总之理解这五种情况并不难，只要记住一句话：电流总是电压高的地方流入电压低的地方，即可轻易明白其中的道理。

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