常用器件说明

受控源

受控电压源：
电压控制电压源：Voltage Controlled Voltage Source，即VCVS
电流控制电压源：Current Controlled Voltage Source，即CCVS
受控电流源：
电压控制电流源：Voltage Controlled Current Source，即VCCS
电流控制电流源：Current Controlled Current Source，即CCCS

电路分析基础(3)-电流源、电压源与受控源的分析

电压源与电流源：

current source与ac current source有什么区别

Current source（电流源）是一种电子元件或电路，它可以提供稳定的电流输出。而AC current source（交流电流源）是一种电子元件或电路，它可以提供交流电流输出，即输出的电流在时间上会随着正弦波形式变化。因此，两者的主要区别在于输出的电流形式不同。

NMOS

看完这篇，请不要再说不懂MOSFET！
科普之FET、MOSFET、MESFET、MODFET有何区别？

在NMOS（N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管）中，引脚G、D、S和Bulk分别代表以下含义：

• G：G代表栅极（Gate）。栅极是用于控制NMOS的导通和截止的引脚。通过在栅极上施加不同的电压，可以改变栅极和源极之间的电场，从而控制NMOS的导电状态。

• D：D代表漏极（Drain）。漏极是NMOS的输出端，也是电流流出的地方。

• S：S代表源极（Source）。源极是NMOS的输入端，也是电流流入的地方。

• Bulk：Bulk代表衬底（Substrate）。衬底是NMOS的基底或底部引脚，通常与源极相连，并与地（GND）相连。

这些引脚在NMOS的工作中起着重要的作用，通过控制栅极电压和施加适当的电压差（如VGS和VDS），可以调节NMOS的导通和截止状态，从而实现电路的功能。

在电路中，VGS和VDS是指以下两个电路元件的电压：

VGS：VGS代表栅极-源极电压（Gate-Source Voltage）。它是指应用在MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的栅极和源极之间的电压差。VGS决定了MOSFET的导通状态和工作特性。

VDS：VDS代表漏极-源极电压（Drain-Source Voltage）。它是指应用在MOSFET的漏极和源极之间的电压差。VDS决定了MOSFET的工作区域和输出特性。

这些电压参数对于MOSFET的工作非常重要，因为它们直接影响着MOSFET的导通和截止状态，以及输出电流和电压的关系。在设计和分析MOSFET电路时，VGS和VDS是需要注意和考虑的重要参数。