2023版 STM32实战10 内部Flash读写

简介和注意事项

-1-STM32内部提供了闪存区域，用来存储用户代码和自定义数据

-2-F1系列的写入最少两字节（半字）

-3-每个地址存8位数据

-4-写入之前需要解锁，写完需要上锁

-5-读取不需要解锁

存储器分布

以下三张图可清楚的看到三种芯片的内存分布情况

STM32F103C6T6（小容量）

STM32F103C8T6（中容量）

STM32F103ZET6（大容量）

代码编写 （F1可直接拷贝使用）

void Flash_Write(u32 address)
{
	FLASH_Unlock();
	FLASH_ErasePage(address);
	FLASH_ProgramHalfWord(address,0x1188);
	FLASH_Lock();
}


void Flash_Write_Data(u32 address,u16 *data,u8 len)
{
	u8 i=0;

	//解锁
	FLASH_Unlock();
	//擦除
	FLASH_ErasePage(address);
	//写入
	for( i=0;i<len;i++)
	{
		FLASH_ProgramHalfWord(address,*data);
		address+=2;
		data+=1;
	}
	//上锁
	FLASH_Lock();
}

u8 Flash_Read(u32 faddr)
{
	return *(vu16*)faddr; 
}

Flash_Write_Data(0X08070000,(u16*)data2,3);

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36

工程获取

三连加关注后点击头像获取