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  • 模拟电路知识点总结(极简略版)--晶体管


    一、晶体管的分类

     1.双极型晶体管(BJT)

     2.场效应晶体管(FET)

     

    二、双极型晶体管的分类

     1.NPN

     2.PNP

     

    三、BJT的三个极

     1.基极(b)

     2.发射极(e)

     3.集电极(c)

     

    四、BJT的三种状态

     1.放大

      条件:发射结正偏,集电极反偏

     

     2.饱和

      条件:发射结正偏,集电极正偏

     

     3.截止

      条件:发射结反偏,集电极反偏

     

     4.倒置(不常用)

      条件:处在放大状态时,c和e调换就是倒置状态

     

     注:正偏就是P(PN结的P)结电压大于N结的电压,反偏就是P(PN结的P)结电压小于N结的电压

     

    五、FET的分类

     1.JFET(结型场效应晶体管)

      ①N沟道JFET

      ②P沟道JFET

     

     2.MOSFET(金属氧化物场效应晶体管)

      ①增强型MOSFET

       a、N沟道增强型MOSFET
       b、P沟道增强型MOSFET

     

      ②耗尽型MOSFET

       a、N沟道耗尽型MOSFET
       b、P沟道耗尽型MOSFET

     
     
    注:本文为回忆性总结,学习模电过程中总结知识点,难免会有错漏,望给予指正。

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  • 原文地址:https://blog.csdn.net/weixin_41241397/article/details/128073271
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