• 【Silvaco example】GaN diode, Reverse-bias leakage current vs temperature


    1、例子讲解

    该示例演示了,GaN肖特基二极管中,因声子辅助隧穿( phonon-assisted tunneling )的反向偏置漏电流的温度依赖性建模。

    例子参考以下论文:

    Pipinys P., and V. Lapeika, "Temperature dependence of reverse-bias leakage current in GaN Schottky diodes as a consequence of phonon-assisted tunneling" J.Appl. Phys. 99 (2006): 093709.

    本例展示:

    • 使用Atlas定义结构
    • 使用Atlas的温度依赖性反向电压特性

            已经发现,一些氮化镓(GaN)二极管的反向I-V特性可以通过使用声子辅助电子隧穿模型来最好地解释。

    假设电子是从金属-半导体界面中的局部能级发射的。

    要启用模型,请在CONTACT语句中使用关键字PIPINYS。

    contact name=anode workfun=5.18 pipinys surf.rec me.tunnel=0.222

    PIP.NT的默认值为0,因此必须为该数量设置一个有限值,以便模型具有任何效果。

    其他参数可在MATERIAL语句中指定。

    1. material material=GaN align=0.68 eab=0.16 \
    2. taun0=1e-9 taup0=2e-8 nsrhn=4e18 nsrhp=4e18 \
    3. d.tunnel=4e-6 me.sbt=0.20 mh.sbt=0.20 \
    4. augn=1e-31 augp=1e-31 arichn=26 \
    5. pip.nt=1.5e13 pip.et=0.8 pip.acc=2.0 pip.omega=0.07

    尽管该模型是专门针对GaN中的反向偏置电流而开发的,Atlas并未将该模型的使用限制在该材料上。 

    • PIP.OMEGA是声子能量,
    • PIP.ACC是电子-声子相互作用常数,
    • PIP.ET是陷阱深度。

    一旦构造完成,然后在Atlas(SPISCES)中使用“通用肖特基隧穿”模型(UST)模拟器件的反向特性。

    实验文件以go internal命令开始,该命令将控制从当前模拟器(即Atlas)传输到DB internal。

    go internal

     load命令指定应将哪个模板文件用于多次运行。

    load infile=diodeex10_aux.in

     sweep命令指定应如何更改模板文件中设置的变量。

    sweep parameter=tempera type=list data="125, 150, 200, 250, 300, 350, 400"
    

    模板文件中set命令指定的参数设置为更改;在这种情况下是温度。数据指定温度值。

    set tempera=300

    2、语法讲解 

    1、material

    1. material material=GaN align=0.68 eab=0.16 \
    2. taun0=1e-9 taup0=2e-8 nsrhn=4e18 nsrhp=4e18 \
    3. d.tunnel=4e-6 me.sbt=0.20 mh.sbt=0.20 \
    4. augn=1e-31 augp=1e-31 arichn=26 \
    5. pip.nt=1.5e13 pip.et=0.8 pip.acc=2.0 pip.omega=0.07

     align

    指定相对于器件中的最小带隙材料,应用于传导带边缘的带隙差的部分。请注意,指定这个参数会取代任何电子亲和力的规格。

    eab

    指定受体能级

     taun0    taup0

     

     nsrhn   nsrhp

    d.tunnel

     

     me.sbt   mh.sbt

     

     augn  augp

     

     arichn

     pip.nt    pip.et     pip.acc    pip.omega

    • PIP.OMEGA是声子能量,
    • PIP.ACC是电子-声子相互作用常数,
    • PIP.ET是陷阱深度。

    2、mobility

    mobility material=GaN gansat.n

     打开电子/空穴的氮化物场相关模型

    3、models

     models srh auger albrct fermi temp=$temp ust print

     srh

     auger

     albrct

     fermi

      temp

     print

     打印所有模型的状态,各种系数和常数。我们建议你在所有Atlas运行中包括这个参数。

    ust

     启用通用肖特基隧道模型

    4、contact

    contact name=anode workfun=5.18 pipinys surf.rec me.tunnel=0.222

    pipinys

     启用GaN Schottky二极管的反向偏置声子辅助隧穿模型

     surf.rec

    指定在各个接触处使用有限的表面复合速度。

    此参数必须以形式SURF.REC [VSURFN=] [VSURFP=

    ]指定,其中n和p为实数。

    me.tunnel

    5、 probe

     probe max name=maxfieldY mag.field dir=90

    max 

     

     name

     设置允许您指定TonyPlot显示的描述的字符串

     6、sweep

     3、例程

    1、CONTENT OF diodeex10_aux.in file

    1. go atlas
    2. set tempera=300
    3. mesh width=1e6
    4. x.mesh loc=0.0 spac=0.5
    5. x.mesh loc=1.0 spac=0.5
    6. y.mesh loc=0.0 spac=0.0025
    7. y.mesh loc=1.0 spac=0.1
    8. region num=1 material=GaN
    9. electrode num=1 name=anode top material=alu
    10. electrode num=2 name=cathode bottom
    11. doping region=1 uniform n.type conc=5e16
    12. material material=GaN align=0.68 eab=0.16 \
    13. taun0=1e-9 taup0=2e-8 nsrhn=4e18 nsrhp=4e18 \
    14. d.tunnel=4e-6 me.sbt=0.20 mh.sbt=0.20 \
    15. augn=1e-31 augp=1e-31 arichn=26 \
    16. pip.nt=1.5e13 pip.et=0.8 pip.acc=2.0 pip.omega=0.07
    17. mobility material=GaN gansat.n
    18. models srh auger albrct fermi temp=$temp ust print
    19. contact name=anode workfun=5.18 pipinys surf.rec me.tunnel=0.222
    20. output band.temp band.param e.mobility e.velocity
    21. probe max name=maxfieldY mag.field dir=90
    22. method newton carriers=1 maxtrap=10
    23. solve init
    24. log outfile=diodeex10_temp_$"temp".log
    25. solve vanode=0.1
    26. solve vanode=0.2
    27. solve name=anode vstep=-0.1 vfinal=-4.0
    28. extract name="maxEx_VR04" 1e2*max(probe."maxfieldY")
    29. extract name="I_VR04" max(i."cathode")
    30. solve vanode=-4.5
    31. solve vanode=-5.0 name=anode vstep=-1.0 vfinal=-10
    32. extract name="maxEx_VR10" 1e2*max(probe."maxfieldY")
    33. extract name="I_VR10" max(i."cathode")
    34. solve vanode=-12.0 name=anode vstep=-2.0 vfinal=-20
    35. extract name="maxEx_VR20" 1e2*max(probe."maxfieldY")
    36. extract name="I_VR20" max(i."cathode")
    37. save outf=diodeex10_0.str

    2、Reverse-bias leakage current vs temperature 

    1. go internal
    2. load infile=diodeex10_aux.in
    3. sweep parameter=tempera type=list data="125, 150, 200, 250, 300, 350, 400"
    4. save type=sdb outf=diodeex10_0.dat
    5. tonyplot diodeex10_0.str diodeex10_temp_300.log -set diodeex10_0.set
    6. tonyplot -overlay diodeex10_temp_125.log \
    7. diodeex10_temp_150.log \
    8. diodeex10_temp_200.log \
    9. diodeex10_temp_250.log \
    10. diodeex10_temp_300.log \
    11. diodeex10_temp_350.log \
    12. diodeex10_temp_400.log
    13. -set diodeex10_1.set
    14. tonyplot diodeex10_0.dat -set diodeex10_2.set

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  • 原文地址:https://blog.csdn.net/weixin_41788560/article/details/128037123