ASEMI代理艾赛斯IXTY02N50D-TRL车规级MOSFET

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艾赛斯车规级MOS管IXTY02N50D-TRL参数：

型号：IXTY02N50D-TRL

漏极-源极电压（VDS）：500V

连续漏电流（ID）：200mA

功耗（PD）：25W

工作结温度（TJ）：-55 to +150℃

零栅极电压漏极电流（IDSS）：10uA

漏极源导通电阻RDS(ON)：20Ω

输入电容（CISS）：120pF

二极管正向电压（VSD）：0.7V

反向恢复时间（trr）：1us

 

IXTY02N50D-TRL封装尺寸：

封装：TO-252

总长度：10.42mm

本体长度：6.22mm

引脚长度：2.92mm

宽度：6.73mm

高度：2.38mm

脚间距：4.57mm

 

IXTY02N50D-TRL特征：

常开模式

国际标准包装

低RDS（on）HDMOSTM过程

坚固的多晶硅栅单元结构

快速切换速度

 

IXTY02N50D-TRL应用：

电平转换

触发器

固态继电器

电流调节器