高压MOS管1000V/2A 可代替IXFP4N100 数据表（PDF）

高压MOS管1000V/2A 可代替IXFP4N100

放眼半导体市场，现阶段1000-1500V超高压MOSFET几乎被进口品牌垄断，且存在价格高，交付周期长等弊端。对此可易亚半导体（KIA）针对1000V超高压MOS产品进行了大量的技术革新，通过多年的产品技术积累，开发出耐压更高，导通内阻更低的超高压MOS管，填补了国内空白，打破了进口品牌垄断的局面，也降低了客户对国外产品的依存度。

超高耐压的器件主要应用场景为工业三相智能电表、LED照明驱动电源、充电桩，光伏逆变器等辅助电源。

特点
符合RoHS
RDS（ON）.typ=9.6Ω@VGS=10V
低栅极充电可尽量减少开关损耗
快速恢复体二极管
可代替艾赛斯IXFP4N100

高压MOS管1000V/2A 可代替IXFP4N100
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